GaN MOSFET的设计制作及其表征.pdfVIP

第46卷第 12期 电力电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 l2月 PowerElectronics December2012 GaNMOSFET的设计制作及其表征 王青鹏 l’2，江 滢 1,2，敖金平 ，王德君 (1．大连理工大学 ，电子科学与技术学院，辽宁 大连 116024 2．德岛大学，先端技术科学教育部 ，日本 德岛 770—8502) 摘要：探讨 了GaNMOSFET的几种实现方法及其原理，采用标准的光刻剥离工艺．成功设计并制作出了3种不同 结构的GaNMOSFET，最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行 了表征，并对实验结果 中出现的一些现象进行 了分析。实验结果表明，采用掺杂 A1GaN异质结结构的GaNMOSFET。其沟道迁移率达到 151．1cm2V· -，界 面态密度达 1．31×10“个 ／(cm ·eV)，是一种较理想的GaNMOSFET结构。 关键词：金属氧化层半导体场效应晶体管：结构：表征 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0081—03 Design Fabrication andCharacterizatiOnOfGaN M OSFET WANGQing-peng ，JIANGYing一，AOJin-ping，WANGDe-jun (1．DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) Abstract：Thispaperdiscussesthree kindsofmethodstorealize the GaN MOSFETs．Utilizing the standard lift．off process。GaN MOSFETsarefabricated Successfully．Then they arecharacterizedbythefield．effectmobility and inter． facestate density．Somephenomena in theexperimentarealSOanalyzed．Theresultsshow tIlatthemobility and inter． facestatedensity oftheMOSFET formed on thedopedAlGaN／GaN heterostructurereach about151．1cm ·V一 ·S一 and 1．31×10“cm一 ·eV-。．whichimpliesthatthisstructureisgoodforGaN MOSFET． Keywor~ ：meta1oxidesemiconductorfield effecttransistor：structure：characterization FoundationProject：SupportedbytheFundamentalResearchFundsofrtheCentralUniversities，MinistryofEduca— tion。China(No．DUT11ZD1l4) 1 引 言 2 GaNMOSFET设计与制作 宽禁带半导体 GaN在功率器件应用 中具有 传统的MOSFET利用源和漏重掺杂形成欧姆 广阔前景 1【_。近年来，A1GaN／GaN异质结场效应 接触 ．背靠背的p-n结达到阻断效果。对于GaN材 晶体管 (HFET)因其较高的沟道电子迁移率，使其 料．P型衬底生长，离子注入及其高温激活过程都 在高频微波领域具有很高的应用价值。研究人员 存在很大困难6[]．需重点设计。 已制作出常关型 Ga