IGBT静态参数测试方法研究.pdfVIP

第46卷第 l2期 电力电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 IGBT静态参数测试方法研究 李更生 ，杨 莉 ，徐庆坤 ，张永健 (西安电力 电子技术研究所 ，陕西 西安 710061) 摘要：通过对 IGBT器件静态参数测试方法的研究，初步设计了基于 LabVIEW 图形化程序为控制平台，并采用 单片微处理器嵌入式结构的全 自动IGBT及快恢复二极管(FRD)静态参数综合测试系统，能够按照不同的要求 和模块芯片结构 ，通过计算机编程来完成测试任务。 关键词：晶体管；静态参数；模块化结构 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0055—02 Researchon TestingMethod ofIGBT StaticParameter LIGeng—sheng，YANGLi，XUQing-kun，ZHANGYong-jian (Xi’肌 PowerElectronicsResearchInstitute，Xi’吼 710061，China) Abstract：According to theresearch on testing method ofIGBT static parameter，an autotesting equipmentofIGBT andfastrecoverdiode(FRD)staticparameterbasedontheLabVIEW plaftorm controlisdesigned，whichcanfinish thetestbythesoftwareaccordingtodifferentrequirementsandstructureofelectronicmodule． Keywords：transistor；staticparameter；modularstructure FoundationProject：SupposedbyNational“863”Plan(No．2011AA050402) 1 引 言 压源对被测器件施加规定的 ∞，考核 IGBT栅极． 发射极是否能承受 ，此时通过栅极一发射极回 任何器件的制造与应用都需以测试手段作为 路的电流即为 。测试原理图如图 l所示…。 保障。我国对 IGBT芯片制造和测试技术的研究刚 刚起步，尤其是IGBT测试技术和设备的研发制造 长期以来由少数国外公司垄断．严重制约了国内 IGBT产业化、规模化发展。在此对 IGBT静态参数 测试技术进行基础性研究，并取得一定成果。 图1 ± 测试 电路 2 几个主要测试参数 Fig．1Testing circuitforthe+Vcts IGBT栅极特性主要包括栅极．发射极 电压 实际设计时．可变 电压源是通过高精度运算 、 栅极一发射极漏 电流 和栅极一发射极阈值 放大器控制场效应管。构成一个高精度受控线性 电压 傀㈩。IGBT集 电极一发射极特性主要包括集 电压源．通过单片微处理器控制电源极性切换，可 电极．发射极电压 、集 电极．发射极电流 、集 实现正负电源输出。最终获得 0一±4OV连续可调 电极．发射极饱和 电压 和集 电极峰值 电流 的高精度线性输出电压。 。 FRD静态参