含磷杂环戊二烯的分子／聚合物材料的光电性质.pdfVIP

第24卷第6期 分 子 科 学 学 报 V01．24N0．6 2008年 12月 JOURNAL OF MOLECIII．AR SCIENCE December20o8 [文章编号]1000-9035(2008)06-0371．10 含磷杂环戊二烯的分子／ 聚合物材料的光电性质 阎石磊，陈军武 ，曹 镛 (华南理工大学高分子光电材料与器件研究所，广东广州 510640) [摘 要] 简要介绍了含磷杂环戊二烯(phosphole)的分子／聚合物材料的光电性质，主要包括 含磷杂环戊二烯的分子／聚合物材料的吸收光谱、荧光光谱、电致发光、二阶非线性光学等方 面，并兼顾有关的结构与光电性能的关系． [关键词] 磷杂环戊二烯；吸收；荧光；电致发光 [中图分类号] 0641 [学科代码] 1502·5 [文献标识码】 A ’ 近3o年来，对 共轭分子／聚合物材料的设计合成与光电性能的研究十分活跃，并且它们在有机发光 二极管(OLED)[1]，有机太阳能电池[2j、薄膜晶体管[3l、化学传感器[]‘等方面也展现了重要的应有潜力．多种 1日一环戊二烯杂环，如硫杂环(噻吩)[、硅杂环(Silole)[6]、硒杂环(硒酚)[、氮杂环 (吡咯) 等，已成为构 筑光电功能性 一共轭有机／聚合物材料的重要单元．磷杂环戊二烯也是环戊二烯杂环的其中一种，但极 少在我国得到介绍和研究，目前只有席振峰等综述过磷杂环戊二烯材料的合成化学L9J．本文对含磷杂环 戊二烯的分子／聚合物材料的光电性质进行了综述，主要包括含磷杂环戊二烯的分子／聚合物材料的吸 收光谱、荧光光谱、电致发光、二阶非线性光学等方面，并兼顾有关的结构与光电性能的关系． 1 磷杂环戊二烯分子材料 1．1 被取代的磷杂环戊二烯 最简单的磷杂环戊二烯 1(见图1)稳定能低，室温下的性质活泼，容易发生二聚反应[ ．虽然理论 计算表明1的芳香性低，但该杂环经芳香环取代后不仅共轭程度会增加，稳定性也大幅提高[13]．理论计 算还表明磷杂环戊二烯具有与Silole类似的0-I／一共轭性质[ ． 图1中不同数 目苯基取代的2和3是最早被合 成报道的磷杂环戊二烯[16-17]．磷杂环戊二烯 2和 3 的吸收峰(abs)分别位于358和 374砌 (见表 1)，．／／ Stokes位移分别为100和120nm，表明2和3分别发 ￡ 出蓝光和蓝绿光 ．化合物2的这些性质与1，2，3， 4，5．五苯基取代Silole十分接近 1【8]．晶体结构研究 l 表明3的2，5一取代苯基与磷杂环戊二烯具有共平 面性[19】．由于3的共轭程度高于2，预示2的2，3， 图1化合物1--3的化学结构式 收稿 日期：200~．10-15 基金项 目：国家自然科学基金资助项 目(5∞73023，U0634003)． 联系人简介：陈军武 (1968．)，男，教授，博士生导师，主要从事有机半导体的合成与光电性能研究． E-mail：psjwchen@scut．edl1．cn 372 分 子 科 学 学报 第24卷 4，5一取代苯基与中心杂环不共平面． Reau等较系统地研究了图2中所示的磷杂环戊二烯的在四氢呋喃溶液中的光电性质[14,勉 ]．化合 物4的 ab6位于3 nlTl，其荧光发射峰(P1．)位于466nnl，均相对于3表现出蓝移．化合物4的溶液荧光 量子效率(PI)为 14．3％．化合物5和6具有2，5．吡啶基取代的结构，化合物5和6的 abB分别位于390 和371nln，均相对于化合物4红移，而 PL分别位于463和458nm，均较化合物4蓝移，因此化合物5和6 具有较小的Stokes位移．2，5一吡啶基取代的磷杂环戊二烯的雪Pl敲低，化合物5的 PL仅为1．1％．2，5．噻 吩基取代的磷杂环戊二烯7具有比化合物4—6更大共轭程度，7的 abB位于412nm，较化合物4红移近 60nln，而7的3．PL位于501nm，较化合物4红移近35