低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第 3期 物 理 实 验 V01．27 No．3 2007年 3月 PHYSICSEXPERIMENTATION Mar．，2007 低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构 吴 平，邱 宏，赵云清，姜德怀，张 蓓， 赵雪丹 ，黄筱玲 ，潘礼庆，田 跃 (北京科技大学应用科学学院物理系，北京 100083) 摘 要：研究了在2．2Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构．实验表明，薄膜厚度 对薄膜电阻率有显著影 响，随膜厚 的增加 薄膜 电阻率降低，在膜厚大 于 200nm 时趋 于稳定 ，电阻率 为 2．54X 1O Q ·m．薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜 电阻率的尺寸效应．研究结果表明，可以在 2．2Pa的 低真空条件下制备金属银薄膜，将银靶用于 目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜 电阻率测量实验是可行的． 关键词：银薄膜；电阻率；结构 中圈分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1005—4642(2007)03—0003—04 性质、应力[8以及微结构也是银薄膜应用 中需要 1 引 言 研究的基础课题[9]． 北京科技大学物理系编排的金属薄膜制备及 本文研究了低真空条件下用直流溅射法制备 物性测量系列研究性实验已成为全校理工科本科 的银薄膜的电阻率特性和结构，探讨 了银用于大 生大学物理实验课程 的重要组成部分[1]，2004 学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率 年 “金属薄膜制备及电阻率测量系列实验装置”获 测量实验 的可行性． 第三届全国高校物理实验教学仪器评比一等奖． 2 样品制备与测量 我校大学物理实验课每次课为 3学时，所面向的 学生为每学年数千人的理工科一、二年级学生，因 所用银靶直径 60mm，厚 0．5mm，纯度为 此对薄膜样品制备装置操作的复杂性、获得真空 99．99 ．靶与衬底间的距离为 4Omm．衬底为 所需要的时间以及仪器成本都有所限制．基于以 普通玻璃，尺寸约为2．5am×2．5am．镀膜前，将 上因素，笔者所设计的薄膜制备实验装置 的真 玻璃衬底放在丙酮中超声清洗 5min，然后放在 空由机械泵获得，系统极限真空在 2～3Pa．要在 无水乙醇中超声清洗 5min，最后用吹风机热风 这样的低真空度下获得金属薄膜，只能使用惰性 吹干．用机械泵将镀膜室的真空抽到 2．2Pa后， 金属．金是最为理想的材料，但是在大范围实验 向镀膜室内充人氩气，氩气压强为 4．0Pa，溅射 教学当中以金作为靶材，实验耗材费用相当高． 电压为 1000V，溅射电流为 5mA．通过控制溅 金属银也具有较强的化学惰性，在空气中不氧化， 射时间来控制膜厚．在室温下分别制备了沉积时 且价格 比金低很多．银是可见和近红外光区的重 间为4，6，10，15，20，30，40min的银薄膜 ，用四探 要光学材料[6]，用银与不同金属、半导体、绝缘体 针法测量 了银薄膜 电阻率，用场发射扫描电子显 复合，可研制和开发具有独特性能的光电功能薄 微镜观察了银薄膜的表面和断面形貌． 膜 ，如 ITO／Ag／ITO多层膜[7]．在制备 ITO／Ag／ 3 实验结果 IT0多层膜时，ITO要在充氧的条件下蒸镀 ，因 而对银薄膜的电阻率和电子的迁移率都有影响， 3．1 银薄膜的沉积速率 所以低真空条件下制备的