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维普资讯
电子科技2007年第3期(总第210期)
跨导系数 的可变应用
黎文福，张 媛，吴玉广
(西安电子科技大学 微电子所，陕西 西安 710071)
摘 要 Ic设计中，为计算方便 ，设计者往往将 作为常量使用。这与实际情况不符并会导致设计的电路
进行仿真时的结果总与性能指标有一定的差距。本文在仿真基础上，探讨并解释Kn的影响因素。最后针对实际
使用的情况，提 出在模拟电路设计的定量计算时应合理选取 的分区选择法。
关键词 跨导系数；沟道调制系数；沟道长度；分区选择法
中图分类号 TN702
TheApplicationofTrans—-ConductanceParameterKpunderChange
LiWenfu，ZhangYuan，WuYuguang
(ResearchInst．ofMicroelectronic，XidianUniversity，Xian710071，China)
Abstract InICdesign，thedesingeroftenusesKpasaconstantforconvenience．Thisdoesnotcoincide
withtheactualsituationandwillcausesomedifferencebetweentheperformnacetragetsnadthesimulationre—
suit、Thepaperdiscussesthefactors influencingKpnadgivesexplanationsonthebasisofsimulation．Based
onapplications，itpresentsamethodofselectingKp inthequnatitativecalculationduringtheprocessofde—
sing ，whichisnamedmethodofselectionfrom subfield．
Keywords trnas—conductancepraameter；chnanel—modulationpraameter；lengthofchnanel；method
ofselectionrfom SUbfield
对 Ic设计人员来说，仿真前必须依据性能参 的结果相去甚远，作者认为这是源于计算常量选
数指标选择电路结构，并大体计算出所需的设计 取的不准确。因此寻求使设计更精确的方法，确
参数，而跨导系数 Kn则是这些计算中的必需值。 定K 成为其中的一个重要途径。
K定义为ixC ，其中 为载流子迁移率，c为栅
1 试验方法
氧化层单位面积 电容，设计人员通常易于认为K
在工艺约定之下是一个常量，并以之代入到计算 以NMOS管为例，选取其工作在饱和区的情
当中。然而在仿真试验中却发现实际情况并不是 况下 ，提取试验曲线。NMOS管工作在饱和状态下
这样的，使得有必要探讨：Kn是否确实在确定工 的饱和电流由下式决定…：
艺的约束下是一个常量。尤其在设计人员经过完
： K孚(一加)(1+A) (1)
整精确的计算后，付诸电路仿真实施时却和预计
其中 为饱和电流，K 为跨导系数， 为沟
道宽度 ， 为沟道长度， 为栅源电压， 为阈
收稿 日期 ：2006-06—10
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