ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究.pdfVIP

第 32卷第 4期 河 北 科 技 大 学 学 报 Vo1．32。No．4 2011年 8月 JournalofHebeiUniversityofScienceandTechnology Aug．2011 文章编号 ：1008—1542(2011)04—0380—04 ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究 唐心亮h，智兆华。，刘玉岭 ，胡 轶 ，刘效岩。，王立冉 (1．河北科技大学人事处，河北石家庄 050018；2．河北工业大学微 电子技术与材料研究所，天津 300130；3．河北科技大学机械 电子工程学院，河北石家庄 050018) 摘 要：研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析 ，采用 40am粒径的硅溶胶作为磨料 ， H。O 作为氧化剂 ，还包含螯合剂和 FA／o表面活性剂作为抛光液。分析 了工艺条件 (包括压力、 流量、转速、温度等)和抛光液 (H O 、有机碱 、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果 ，确定 了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程 中出现的碟形坑等 问题 ，分析 了表面活性 剂对表面粗糙度的影响。 关键词 ：碱性抛光液；工艺参数；铜布线平坦化 ；化学机械抛光 中图分类号 ：TQ031；TN405．97 文献标 志码 ：A StudyoneffectofalkalineslurryoncopperplanarizationinULSI TANG Xin—liang ，ZHIZhao—hua。，LIU Yu—ling。，HU Yi。，LIU Xiao—yan ，W ANG Li—ran。 (1．PersonnelDepartment，HebeiUniversityofScienceandTechnology，ShijiazhuangHebei050018，China；2．InstituteofMi- croelectronicTechnologyandMaterials，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China；3．CollegeofMechanicaland ElectronicEngineering，HebeiUniversityofScienceandTechnology，ShijiazhuangHebei050018，China) Abstract：Inthisarticle，themechanism modelofCu-CMPisstudied．A kindofslurryisexcogitated，whichusescolloidalsili— cawithdiameterof40am asabrasives，hydrogenperoxideasoxidant，organicalkaliaspH modulatorandchelatingagent，FA／ O assurfactant．Theinfluencesofprocessconditions，includingpressure，flow rate，rotaryspeedandtemperature．etc．。and polishslurry(H2O2，organicalkali，abrasiveparticle)oncopperpolishingrateareinvestigated．Basedontheseresuls，theap— propriateprocessconditionsandthepolishslurryaredeterminedtOresolvethedishingthatexistsinCu—CMP，andtheinfluence ofsurfactantonsurfaceroughnessisanalyzed． Keywords：alkalineslurry；techniqueparameter；copperplanarization；chemicalmechanicalpolishing(CMP) 当今化学机械抛光的发展非常迅速_l1]。在过去的3年里 ，化学机械抛光的设备需求增长了3倍 ，预计在 未来的几年里 ，化学机械抛光设备市场的增长率将会达到 6O [2]。化学机械抛光技术是最理想 的和唯一可 以实现全局平坦化的技术口]，化学机械抛光技术的发