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第28卷第5期 红外与毫米波学报 V01.28,No.5
2009年10月 J.1nfraredMillim.Waves October,2009
文章编号:1001—9014(2009)05—0325—05
碲镉汞富碲垂直液相外延技术
杨建荣, 张传杰, 方维政, 魏彦锋, 刘从峰, 孙士文,
陈晓静, 徐庆庆, 顾仁杰, 陈新强
(中科院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083)
摘要:研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg。一,
Cd。),…Te母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进
工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了
碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到
了±5p.m,40X30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3X10一,同生长批次材料片与片之间的组
分和厚度差异分别小于0.001和1斗m.在10mm线度上,表面起伏小于l斗m.经热处理后,中波汞空位P型材料在
77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能
材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都
具有重要的意义.
关键词:半导体技术;碲镉汞外延材料;液相外延;垂直浸渍外延
中图分类号:0782+.1文献标识码:A
Te-RICHDIPPING OF
TECHNIQUEHgCdTe
EPITAXY
PHASE
LIQUID
YANG ZHANG FANG
Jian-Rong, Chuan-Jie, Wei-Zheng,.WEIYan—Feng,LIUCong—Feng,
SUN CHEN GU CHEN
Shi—Wen, Xiao—Jing,XUQing—Qing,Ren—Jie, Xin—Qiang
ofinfrared materialsand InstituteofTechnical
(KeyLaboratory image devices,Shanghai Physics,
Chinese of
AcademySciences,Shanghai200083,China)
Abstract:Te—rich of studied.An methodWas
dippingtechniqueHgCdTe epitaxy(LPE)wasexperimental
liquidphase
tocheckthe melt beforethe convectionand cir-
proposed homogenizationof(Hgl。Cd)1。Tejust dipping.Thegas Hg
cum
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