电弧离子镀制备透明002AIN薄膜.pdfVIP

。 第38卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．I METALMATERIAl，SANDENG；INEERING 2009 2009年4月 RARE April 电弧离子镀制备透(002)AIN薄膜 邱万奇，阎 明 (华南理工大学，广东广州510640) 摘要：在电弧离子镀弧靶上加挡板．分别在挡板屏蔽区内、外用Si(100)和玻璃片作基片沉积出AIN薄膜。用扫描电 nm波长范围内透明；在 结果表明，在挡板屏蔽区内沉积出的AIN薄膜呈(002)择优取向，无大颗粒污染，在300～1000 挡板屏蔽区外的AIN薄膜呈(100)择优取向，含有Al污染颗粒，不透明。用电弧离子镀法沉积AIN，样品不需要额外加 热就能获得晶态AIN薄膜，样品的温度升高来源于粒子对基底的轰击。 关键词：电弧离子镀：AlN薄膜；挡板 中图法分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S1—095-04 氮化铝薄膜具有一系列优良的物理和化学性质， 图l为实验用设备与基底悬挂位置简图。采用 在电学、光学、声学和力学等方面有广阔的应用前 mm的高纯铝靶。电弧靶前安装挡板， 景f㈨。目前，大多数成膜方法均已用于AIN薄膜的制靶为直径100 备，其中常用的方法有磁控溅射法p51、脉冲激光溅射 挡板设计为环形和圆形不锈钢板双层结构，层间隙 法【6】、化学气相沉积法【7】等。磁控溅射法包括直流磁 为30 控溅射【31、射频磁控溅射【41和中频溅射【5】等，直流磁控挡板直径100mm，弧靶、环形挡板和圆形挡板的中 溅射法因靶中毒时阳极消失，工艺难于稳定，中频溅 心轴重合。样品温度用热电偶测量，热电偶放在A 射和射频溅射法解决了阳极消失问题，但仍存在迟滞 点附近。 效应【引，对工业化生产不利。基片温度低于300℃时， 磁控溅射AIN以非晶膜为主；脉冲激光溅射AIN成分 变化小，基片温度低，膜中存在微小熔滴【9】：化学气 相沉积AIN薄膜纯度高，密度大，基片温度高。不同 方法沉积的AIN薄膜各有特点，更多的AIN薄膜沉积 方法仍在研究之中。 电弧离子镀具有离化率高，沉积速度快。成膜温 度低，能在复杂样品表面沉积等一系列优点，成为工 程技术领域最广泛应用的薄膜制备方法之一，但因膜 中夹有l～20¨m大颗粒污染【101，很少用于制备高质 量AIN薄膜。弯曲磁过滤电弧离子镀消除了大部分颗 粒污染，能沉积出光滑的AIN薄膜…】，颗粒污染尺寸 小于lpm，这些小颗粒来源于中性的熔滴在等离子体 中充电，和正离子一起穿过弯曲过滤管道而沉积到样 图1设备与基底悬挂简图 Schematicof and AandB 品上【111。本研究通过改进电弧靶挡板结构来消除大颗 Fig．1 planapparatussample position 粒污染，用电弧离子镀设备在玻璃片和Si(100)基体上 沉积出透明(002)A1N薄膜，沉积温度低于130℃。选取镜面抛光单晶硅Si(100)和玻璃片为基片，无 水乙醇超声清洗10min后分别装于真空室内如图l所 1 实 验 收稿日期；2008-05-08 基金项目：广东省自然科学基金资助；广州市科技攻关计划项目资助(200623·00281) mewqqiu@scut．既lu．cn 万方数据 ·96·