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年月 重庆师范大学学报自然科学版
20135 ( ) Ma2013
y
第 卷第期 ( )
30 3 JournalofChoninNormalUniversitNaturalScience Vol.30No.3
gqg y
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DOI10.11721cn
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共掺型 薄膜的结构和电学特性研究
NIn ZnO
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12 12 123 123 123
赵永红,孔春阳,秦国平 ,李万俊 ,阮海波 ,
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12 12 12 12
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孟祥丹 卞萍 徐庆 张萍
( , , ;
重庆师范大学物理与电子工程学院光学工程重点实验室重庆
1. 401331
, ;
重庆市光电功能材料重点实验室重庆
2. 401331
重庆大学物理学院,重庆 )
3. 401331
摘要:采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备 薄膜,以离子注入的方式进行掺杂,通过优化退火条件成
ZnO∶In N N
功实现了 薄膜的型转变研究发现在 退火 获得性能良好的 薄膜其空穴浓
ZnO∶InN 。 :590℃ 20min ZnO∶InN ,
p p
18 -3 2 -1 -1
度、迁移率和电阻率分别为( ) 、 · ·、 ·。结合
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