薄膜的结构和电学特性研究.pdfVIP

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年月 重庆师范大学学报自然科学版 20135 ( ) Ma2013   y 第 卷第期 ( ) 30 3 JournalofChoninNormalUniversitNaturalScience Vol.30No.3 gqg y : / DOI10.11721cn   qj  共掺型 薄膜的结构和电学特性研究 NIn ZnO p , , ,, ,, ,, 12 12 123 123 123 赵永红,孔春阳,秦国平 ,李万俊 ,阮海波 , , , , , 12 12 12 12 , , , 孟祥丹 卞萍 徐庆 张萍       ( , , ; 重庆师范大学物理与电子工程学院光学工程重点实验室重庆 1. 401331 , ; 重庆市光电功能材料重点实验室重庆 2. 401331 重庆大学物理学院,重庆 ) 3. 401331 摘要:采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备 薄膜,以离子注入的方式进行掺杂,通过优化退火条件成 ZnO∶In N N 功实现了 薄膜的型转变研究发现在 退火 获得性能良好的 薄膜其空穴浓 ZnO∶InN 。 :590℃ 20min ZnO∶InN , p p    18 -3 2 -1 -1 度、迁移率和电阻率分别为( ) 、 · ·、 ·。结合

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