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维普资讯
第27卷 第 l2期 核 技 术 Vo1．27，No．12
2004年 l2月 NUCLEARTECHNIQUES December2oo4
硫化法制备FeS2薄膜晶体结构和表面特性的研究
张 辉 王宝义 张仁刚 万冬云 马创新 周春兰 魏 龙
(中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室 北京 100049)
摘要 采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜，在不同温度下(2O0L_-4o0。C)硫化10h得到FeS2薄
膜，并对其进行晶体结构和表面成分分析。x射线光电子能谱 (XPS)研究表明：低温硫化时易生成硫单质相，
随温度的升高，s单质相部分参加反应变为FeS2相，FeS2的S2p峰出现在低能位置，而遗留的单质 s的S2p
束缚能位置不变。卢瑟福背散射 (RBS)测得400~C时薄膜中元素Fe／S接近FeS2的理想化学计量比。
关键词 磁控溅射，热硫化，二硫化铁，x射线光电子能谱
中图分类号 0484
FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度 在硅衬底上制备FeS2薄膜，由于硅衬底和二硫
(Eg=0．95eV)和较高光吸收系数 (当入射光波长 化铁晶格常数相差较小 (见表 1) ，失配度小，因
103nrn时，吸收系数 10cm叫)的半导体材 此在硅衬底上生长薄膜，其质量较高。Birholz 4J
料，可以制作极薄的太阳能薄膜电池，从而大大降 采用高纯FeS2粉末制成的靶材，以H2s作为载气，
低太阳能电池生产中材料的消耗，降低生产成本， 在不同的衬底材料 (玻璃和硅 )上得到FeS2薄膜，
而且其组成元素储量丰富、无毒、性能稳定、适于 其化学计量比S／Fe=2．00+0．05。Thomas 3J采用
大规模生产、具有较好的环境相容性。因此，近年 低压金属有机物化学气相沉积 (LP—MOCVD)在
来受到越来越广泛的重视。FeS2薄膜的主要制备方 si(100)和 si(1l1)衬底上制备了沿 (200)和 (1l1)
法有：化学气相沉积 (CVD)、热蒸镀和闪蒸镀、离 面生长的FeS2薄膜。本文采用磁控溅射镀膜、真空
子溅射和磁控溅射、铁膜硫化、氧化铁膜硫化、分 硫化的方法在si(100)衬底上制备了FeS2薄膜，研
子束外延生长 (MBE)、化学喷雾热解 (CSP)、化 究了薄膜的晶体结构和表面特I生。
学气相运输 (CVT)等 J。
虽然各种制备薄膜的方法大部分能应用于制备 1 实验方法
FeS2薄膜，但采用纯Fe膜硫化法制得的FeS2薄膜，
用 12mm~24mnlSi(100)作为基片，首先在
可以有效地防止直接用 FeS2化合物蒸镀制备 FeS2
HCI和H2SO4(HCI：H2SO4=3：1)的混合溶液中煮
薄膜时由于 FeS2发生分解而使薄膜的化学成分偏
沸20min，然后用去离子水超声清洗，再分别用丙
离理想化学计量比等问题。同时，在高温下热硫化，
酮和去离子水超声清洗15min，最后放于烘箱中250
还可以改善薄膜的组织结构，从而提高薄膜的质
℃干燥 6h。
量I。而且采用磁控溅射方法制备薄膜，其工艺参
在 FJL560磁控溅射系统中淀积铁膜，铁靶材
数易于控制、可采用不同基片大面积成膜、可在线
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