宽带隙半导体材料电子的发射与输运特性.pdfVIP

r 0350402 摘 要 摘 要 由于真空微电子学研究的场致发射平板显示器、传感器和微波器件等具有非常 重大 近期应用前景，因此得到国际科技界的广泛重视。对于平板显示器来说，大 电流密度和稳定的场发射阴极是极其重要的，但经常发现 Si的场发射阴极在连续 工作期间，由于表面吸附和解吸的污染经常表现出不稳定。Si尖锥需要一个保护 膜。己经证明包金刚石硅尖与未包金刚石的硅尖相比场发射电流明显提高，而且稳 定性增强。近年来研究者对金刚石薄膜的场发射特性进行了广泛的研究，发现金刚 石薄膜还有某些固有的缺陷，所以一些研究者开始把注意力转向性能更加优越的氮 化硼 (BN)薄膜。BN除具有金刚石的优点，如优异的力学性能、热学性能、高度 的化学稳定性及负电子亲和势等，还具有金刚石薄膜所不具备的优点，如易于掺杂 形成N型半导体，易于用电泳法和PECVD方法形成薄膜，而且生长速度容易控制， 可以制备出厚度精确的薄膜，包括小于 l0nm的超薄薄膜。BN作为搜盖膜时对原 Si尖锥阵列的纵横比影响也较小。极端情况下，BN平面薄膜很可能被用于制造场 发射平板显示器。因为己有报道BN薄膜具有很好的场发射特性。从各种结构的阴 极制造工艺来说，薄膜的制备更简单、容易，从降低成本的角度来说，直接采用薄 膜作为场发射平板显示器的阴极，成本会更低。而且寿命、稳定性也会提吵 本文用电泳法制备出纯的六方氮化硼 (h-BN)和c-BN薄膜，此法克服了各种 CVD方法生长c-BN时所产生的污染，而且设备简单、价格低廉、膜厚容易控制。 通过反复摸索得到了制备场发射用的c-BN薄膜的最佳工艺。样品的光学显微镜形 貌照片表明，得到的薄膜较为均匀。然后又对PECVD法和电泳法生长的BN薄膜 的场发射特性进行了研究，结果表明，PECVD法得到的BN薄膜具有非常好的场 发射特性，其开启电场为9Vlpm,最大电流密度为21mAlcm，电泳法得到的。-BN 覆盖膜，能够提高硅尖锥阵列的场发射性能 (开启电场降低约两倍)。本文还首次 将神经网络的方法应用到宽带隙半导体场发射上面，结合场发射的特点，建立了神 经网络预测模型，并以金刚石薄膜为例，分别对其场发射的开启电场、功函数及薄 膜的厚度进行了预测，结果表明误差很小 (小于6%)，显示出相当高的预测精度。 提供了一种简单、方便的计算或测童场发射的开启电场、功函数及厚度的新方法。 尽管我们是对一种薄膜，两个输入参tI的情况下进行的预测，但如果对于多种不同 成份薄膜，多个输入参量，此模型也可相应推广适用。所以该方法的目的和意义在 于用己知几种薄膜的场发射开启电场和薄膜的物理参t去预测未知薄膜的开启电场 和未知薄膜的物理参I。最后，首次用单电子Monte-Carl。法对立方氮化硼 (c-BN) 体材料的电子输运特性进行了深入细致的研究，并得到了电子的平均漂移速度、迁 移率随电场、a度的变化关系，电子的能tI、电子的动tI弛豫时间和能量弛豫时间 随电场的变化规律，这些规律从定性角度具有物理合理性。由于目前尚没有 c-BN 于丽娟 西安交通大学博士学位论文 1999 电子输运特性的相关数据，因此，本结论将为 c-BN器件的理论模拟和实际应用提 供相当重要的参考依据。c-BN 的电子输运特性表明 平均动能相当高，因此其电 子温度远远超过其晶格的温度，是典型的热电子行为 关键词:氮化硼薄膜，金刚石薄膜，开启电场，功函数，场发射，电泳，PECVD BP神经网络，侨溅、Monte-Carl。法，电子输运， 论文类别:应用研究 冉七胜口以 Studyforelectronemissionandtransportationcharacteristics ofwidebandgapsemiconductormaterials Abstract Thefieldemissionplatedisplay(FED),sensorandmicrowavedeviceshavearoused increasinginterestamongtheinternation