电子辐照在改善晶体管TS参数方面计算机统计分析研究.pdfVIP

摘 要 利用电子束辐照是在改善功率双极晶体管存储时间 TS 方面已逐步取代中子辐 照或钴-60 辐照的一种新兴技术。在半导体器件制造中使用电子辐照能极大的改善 双极晶体管存储时间 TS 的一致性，加快生产效率，降低生产成本。 09 年 3 月深圳深爱半导体有限公司成立“电子辐照取代钴-60 辐照改善存储时 间TS 均匀性”的项目组，作者被任命为小组组长，专门统筹负责整个工艺转换工 作。在项目开始之前，原来的辐照工艺一直延续的是建厂时的钴-60 辐照，在长达 十几年的生产过程中，并没有在辐照方面做任何调整。08 年经济危机对半导体器 件制造公司提出了更加严苛的要求，而存储时间 TS 的控制更是各方厂家争相拼抢 的重点。 在经历 6 个月项目运作后，最终完成了项目确认。整个项目运作过程通过了 解辐照加工行业的背景，研究了在实际生产工程中电子辐照作用于功率双极晶体 管的实际原理，通过结合自身公司产品辐照加工的试验数据，制定出适用与具体 生产的实际生产流程和工艺参数，找出最佳的适用于生产实际操作的完备工艺流 程。并经 6 个月的项目运行，通过后期数据收集对比最终在 10 年 3 月完成了整个 项目的验收，并报公司通过。本论文正是“电子辐照取代钴-60 辐照改善存储时间 TS 均匀性”的项目组完整的总结。 主要研究内容为： 1．探究辐照加工的发展概况 2 ．研究辐照加工在半导体器件加工中的辐照机理 3 ．研究功率型晶体管的在节能灯使用中的几个特殊参数的原理 4 ．详细研究了针对半导体器件功率型晶体管的电子辐照工艺条件 关键词：电子辐照，功率双极晶体管，存储时间TS，退火 I ABSTRACT Electron beam irradiation, instead of neutron irradiation or Co-60 irradiation ，is a new technique to improve the storage time TS of power bipolar transistor. The coherence of storage time TS of power bipolar transistor can be consumedly improved by using the technique of Electron beam irradiation, the manufacture efficiency can be expedite, and the cost can be reduced. A research team of Electron beam irradiation instead of Co-60 irradiation to improve the coherence of storage time TS of power bipolar transistor came into existence in March 2009, in Shenzhen SI SEMICONDUCTORS CO., LTD. The author of this paper has been appointed as the team leader, in charge of the technical amelioration. From the foundation of the company, the technique of irradiation had not made any improvement until this research started. The economy crisis in 2008 increased the requirement of companies. However, the deposited time TS control was the most important part