适用于MRAM的集成电路测试方法研究.pdfVIP

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摘 要 随着电子设备在商业、工业及军事等领域的广泛使用,集成电路技术得到前所未有 的发展。测试是集成电路产品生产过程中不可或缺的一部分,它能够保证产品设计、制 造的正确性以及可靠性。电路设计方法的日益复杂化和半导体制造工艺技术的不断进 步,使集成电路本身面临着更高的缺陷密度,测试成本在总成本中所占比例不断增大。 为了降低产品总成本,降低测试成本首当其冲,因此,提高测试技术成为关键。MRAM 是一种具有众多优良特性的新型磁性随机存储器,它被认为是电子设备中的理想存储 器。本论文以MRAM作为研究对象,研究能够满足测试指标的适用于MRAM的集成 电路测试方法。本文的主要研究工作如下: RPl7NW算法。 一个子模块的电路具体实现进行了详细设计。 SE Pro8.1 (3)分别用Mentor公司的ModelSim ISE8.1i下完成了时序仿真。仿真 对测试电路进行了功能仿真和逻辑综合,并在Xilinx 和综合结果表明,本文所提出的测试算法和设计的MRAMBIST测试电路结构,在满足 各种测试指标的前提下,能够完成MRAM测试,实现了故障覆盖率、面积、功耗与速 率的折衷。 关键词:MRAM;存储器测试;March算法;内建白测试 Researchonthe Circuit MethodofMRAM Integrated Testing andCommunication QiNa(Information Engineering) DirectedProf.Yu by Yunhua LectureShiHaitao Abstract Asthe useofelectronicdevicesintheareaof widespread lives,military, telecommunicationsandSO an takes on,IC(IntegratedCircuit)technology becomesvitalinthe ofIC itcan development。ICtesting process ensurethecorrectness and wellthe as ofthe duringdesignproduction,as reliabilityproduct. Withtheadvanceofcircuit methodandIC circuitis design processtechnology,integrated a defect costsaccountfora higher ofthetotalcosts.In facing density.Testing

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