化学刻蚀法制备硅纳米线光阳极及其光电化学性能的研究.pdfVIP

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2017-09-04 发布于安徽
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化学刻蚀法制备硅纳米线光阳极及其光电化学性能的研究.pdf

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化学刻蚀法制备硅纳米线光阳极及其光电化学性能的研究 1，2 1* 吕文辉，陈立桅（1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米技术研究国际实验室，江苏，苏州，215125， E-mail: lwchen2008@； 2 湛江师范学院物理系，广东,湛江，524048，E-mail: lvwenhuily@ ）太阳能电池能够将太阳光源源不断地转化成电能来解决当前人们面临的能源枯竭问题，但其效率偏低和成本偏高阻碍了光伏发电产业的发展。针对此瓶颈，人们积极探索高效率、低成本的新型太阳能电池。基于硅纳米线的纳米结构光电化学电池是这种新型太阳能电池之一[1,2] 。它是的设计思想是利用硅纳米线阵列作为光阳极有利于降低太阳光的反射率及太阳光在纳米线轴向充分吸收和光生载流子在纳米线径向被半导体-液结有效分离，来提高电池的光电转化效率。本研究采用金属催化化学刻蚀法[3,4]成功地制备硅纳米线阵列，详细的制备过程和制备的典型硅纳米线阵列的形貌如图 1 和图 2 所示。在此基础之上，将获得的硅纳米线阵列组装在光电化学池中作为光阳极，采用暗态和光照下的 I-V 特性研究了其在电解液中的光氧化和光电转化性能，并分析了可能的电输运过程。图 1 图 2 图 1：硅纳米线阵列制备工艺过程：（a ）清洗硅衬底；（b ）制备不连续的银纳米薄膜；（c ）含氧化剂的 HF 水溶液中刻蚀硅，获得硅纳米线；图2 ：典型硅纳米线阵列形貌的 SEM 照片；本研究得到了中科院“百人计划”及广东省优秀青年创新人才培养计划项目（LYM08075 ）的资助。参考文献： [1] Adrian P. Goodey, Sarah M. Eichfeld, Kok-Keong Lew, et.al. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12344. [2] James R. Maiolo III, Brendan M. Kayes, Michael A. Fille, et.al. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12346. [3] Kuiqing Peng, Juejun Hu, Yunjie Yan, et.al. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 387. [4] Kuiqing Peng, Mingliang Zhang, Aijiang Lu, et.al. Appl Phys Lett. 2007, 90, 163123.