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A20 采用拉曼光谱研究硅烷浓度对硅薄膜结构的影响 张乾，高杨，张建新，张维迮 (河北。1：业人学材料科学与工程。大律300000) 摘要：采用等离子体增强化学气相沉积(RF．PECVD)技术，在一定功率和气压下，在玻璃 衬底上制备了不同硅烷浓度的Si薄膜材料。使用拉曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究。 结果表明Si薄膜的结构随H稀释的加大逐渐由非晶向微晶转交。 关键词：等离子体增强化学气相沉积硅薄膜拉曼光谱 1引言 氢化非晶硅兼具非晶薄膜材料和晶体硅材料的优点，被认为是制做太阳能 电池的优良材料。它在电导率较高的情况下具有高吸收系数，保证了光敏性， 并且降低了电池的光致衰退【1捌。 本文利用RF．PECVD在一定气压下，通过调节辉光功率、进气量速率、硅 烷浓度等参数，制备了硅薄膜，对样品的结构采用拉曼光谱进行分析，得出了 H稀释与微结构、沉积速率等参数的关系。 2实验 薄膜样品在PECVD系统中制备，真空室的本底真空为10‘4Pa，沉积气压为 作为反应气体，由流量显示仪控匍JSiH4和H2流量，通过调节衬底温度、H稀释 比和射频反应功率，使Si池在辉光放电下发生分解并最终沉积在普通玻璃衬底 上。 对样品进行微结构表征的拉曼光谱测试仪由英国Ranishaw公司生产，型号In CKrl-I一4000cm一。 (785nm)100 OIll～、510锄～、520 cm‘1处进行 hso)。14舳、1510、Is20为样Raman光谱在480 Lorentzian分解后，三个波峰的相对积分强度。Xc可描述薄膜的晶化程度，其 中，480cm。附近对应非晶硅。520cmd附近对应晶体硅，而510cm以附近波峰 对应介于晶体硅和非晶硅之间晶粒尺寸只有几纳米的晶粒。 样品厚度采用扫描电镜测量横截面得到。 76 3结果与分析 烷浓度是影响非晶、微晶硅生长微结构的重要参数，从图中可以看出样品结构 随H稀释比变化时的演变情况。 伽 猢 湖 }=∞互。暑_ 啪 鲫 枷 撕 o 350 400 450 500 550 600 Ram．an Shifl／cml 图1 不I司硅烷浓厦的Raman光谱 ● 一 在功率为70W，沉积温度300℃下制备薄膜，当硅烷浓度由10％降为2％时， 吸收峰基本都在480cm。1附近，为典型的非晶硅横光学模式。但受实验设备和参 数影响，随浓度降低并未发现尖峰的位移；当硅烷浓度为2％时，有细微的非晶 硅到微晶硅转变，在510cmd左右出现一个“小峰”，这个“小峰”对应于晶粒尺寸 只有几个纳米的晶粒和晶粒间界键角膨胀所引起的拉曼散射成分I引。由于微晶 硅含量较少，吸收峰不太明显；当硅烷浓度为1％时，吸收峰发生显著的位移， 480cm。附近的吸收峰减弱，而在520cmJ附近出现强吸收峰，为晶体硅Raman散射 吸收峰{熨。 表1为计算得到的薄膜结晶率和硅烷浓度的关系。图2为硅烷浓度为1％样品 的拉曼光谱的Lorentz双峰拟合曲线。 当硅烷浓度在2％以上时，Sill4的分解与膜层沉积过程远大于【H】基对弱Si．Si 键自勺蚀刻过程，这种非平衡下进行的反应将形成具有亚稳态结构的a．Si：H膜【61。 77 36％， 肖硅烷澉度降到2％时，榆测到了晶体硅的对应成分，通过计算，晶化率为