碳化硅晶片的氧化脱炭研究.pdfVIP

第26卷专辑 中 国稀土学报 2008年8月 OFTHE RARE V01．26 JOURNALCHINESEEARTHSOCIFIY Spec．Issue Aug．2008 碳化硅晶片的氧化脱炭研究 孟永强P，戴长虹2 摘要。碳化硅晶片具有晶相完整性好、缺陷少、对环境污染小等特点，是理想的碳化硅晶须替代材料。采用旋转式氧化 脱炭炉这一新设备对碳化硅晶片的氧化脱炭进行了研究。考察了氧化脱炭温度和时间对碳化硅晶片脱炭效果的影响。研 h条件下 究表明，旋转式氧化脱炭炉具有较好的脱炭效果和较高的脱炭效率，在氧化脱炭温度为700℃、氧化时间为1．5 能够完全除去碳化硅晶片所含有的炭。 关键词：碳化硅；晶片；氧化：脱炭 文献标识码： A 文章编号：1000-4343(2008)-0794—03 中图分类号：TQl74．758 科学技术的高度发展对材料使用性能的要求 提供技术支持。 越来越高，单一成份的材料显然难以满足这一要 求，以晶粒、晶须、晶片作为第二相物质，实现 1实验过程 材料的复合化成为材料发展的必然趋势之一。 实验所用的原料采用粉末电热体加热技术制 晶片是一种微细的片状单晶体，其形貌为片状 备的经浮选脱炭后的碳化硅晶片，该晶片中还含 或扁平状、其中两维尺寸明显大于第三维的单晶 有一定量的炭。根据炭在高温下容易氧化的特点， u lam。 体，直径一般为5～300m，厚度0．3～30 采用高温氧化的方法，利用自制的旋转式氧化脱 用于增强陶瓷基和金属基复合材料的碳化硅晶 炭炉对碳化硅晶片进行氧化处理。实验过程为： 片【l2】。晶片具有显微增强与填充能力，主要用作 碳化硅晶片由旋转式氧化脱炭炉顶端的加料斗送 复合材料的增强组分。碳化硅晶片具有缺陷少、 入，然后通电升温，控制适当的旋转速度，使碳 对环境污染小、对人体健康无害等特点，是最具 化硅晶片依次通过旋转式氧化脱炭炉的预热带、 吸引力的碳化硅晶须替代物pJ。与碳化硅晶须增韧 氧化带和冷却带，氧化带温度控制在500～900℃， 相比，晶片增韧具有以下优点：晶片的分散性与 并使碳化硅晶片在氧化带停留0．5～2h，最后从炉 流动性好，容易均匀分散于基体中，与基体复合 下端的出料口收集氧化后的产品。利用XRD对氧 的效果优于球状粒子和晶须：晶片尺寸大，其表 化后的产品进行检测以评价炭的脱除效果，结合 面与基体反应产生的影响不大，裂纹偏转机制可 SEM观察分析，确定氧化温度和时间对脱炭效果 以得到较好地发挥。 和碳化硅晶片抗氧化性能的影响。 由于制备工艺上的需要，碳化硅晶片[4,51都含 有一