采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究.pdfVIP

! 第# 卷! 第$ 期 强 激 光 与 粒 子 束 %’( # ，)( $! ! $**+ 年$ 月 ,-., /0123 45623 5)7 /538-942 :25;6 7=( ，$**+! 文章编号：! **?@$$（$**+ ）$A*A*? 采用!# 谱和$!% 对’( 单晶辐照损伤的研究! $ @ @ 祖小涛 ，! 封向东 ，! 雷! 雨 ，! 朱! 莎 ，! 王鲁闵 （) 电子科技大学 应用物理系，四川 成都B**+? ；! $) 四川大学 物理系，四川 成都B**B+ ； @) 美国密西根大学 核工程与放射科学系，安娜堡%* ?C*A ） ! ! 摘! 要：! 利用电子顺磁共振（2/3 ）谱和透射电子显微镜（82; ）研究了D6E 单晶的辐照效应。$** F% 的G 和?** F% 的9H 离子注入［］取向的D6E 单晶中，注量均为+ I *B =J K $ 。2/3 结果表明辐照产生了 共振吸收位置! L ( ACA 和! # L ( CBA 、对称轴为［］的六配位EM@ N 顺磁缺陷。9H 辐照产生了比G 离子辐 照多约+* 倍的六配位EM@ N 顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变，但是9H 离子 辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此，2/3 谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤 （约B* OPQ ）的情况下，9H 离子辐照比G 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是9H 离子是化 学活性的而G 离子却是惰性的。 ! ! 关键词：! D6E 单晶；! 离子辐照；! 辐照缺陷；! 电子顺磁共振谱；! 透射电子显微镜 ! ! 中图分类号：! 8R#? ( ? ；0?@@( ?! ! ! ! 文献标识码：! 5 ! ! 半个世纪以来，由于核燃料循环和核武器的退役已产生了约 ?** S 钚及其它放射性錒族元素，这些核废 料的处理引起了世界范围的强烈关注［ T @ ］。核废料存放基体的选择、基体的抗辐照损伤能力已得到广泛研 究［，$ ］。D6E（USSMVQHSQWV’VXO =YWV= XVM=ZVQ ）是目前发现的抗辐照能力最强的绝缘体材料，由于在轻水堆中可用 ［@ ，? ］ 作“燃烧”多余钚的惰性基材以及储存核废物的基体而倍受关注 。G 和9H 是核反应的裂变产物之一，它 们在D6E 中的辐照效应引起了广泛的关注［@ T + ］。G 离子辐照甚至在液氮温度损伤离位率高达BC* OPQ 条件 下仍然不能使 ［B ，# ］ D6E 发生非晶化转变 。目前发现的唯一一例是9H 在室温辐照到@** OPQ 时使D6E 非晶化， ［C ］ 而6M 和- 辐照到同样的损伤离位率则仅仅产生了大量的损伤缺陷 。9H 诱发D6E 非晶化的机理仍然不清 楚。 ! ! 实验和理论研究结果表明：电子辐照和G 射线辐照会使D6E 中的八配位EM? N 离子转变为六配位的EM@ N 顺 ［A ］ 磁离子 ，因此为使用2/3 谱研究D6E 的辐照效应提供了依据。我们用电子顺磁共振谱对比研究了G 离子 和9H 离子的辐照效应，并对其损伤机理进行了探讨。 +, 实, 验 ! ! G 离子注入在密西根大学离子束表面改性和分析实验室（;V=[V\QZ -Z :QJ 4QWMQSMU ]M 6YM]Q= ;OV]V =QSVZ QZO 5ZQ’UHVH QS ^ZV_MHVSU ] ;V=[V\QZ ）的%QMVQZ $** 离子注入机