第七章薄膜的形成.pptVIP

第六章 薄膜的形成 薄膜的形成一般分为凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合生长过程。 凝结过程是从蒸发源中被蒸发的气相原子、离子或分子入射到基体表面之后，从气相到吸附相，再到凝结相的一个相变过程。 一、吸附过程 固体表面与体内在晶体结构上一个重大差别就是原子或分子间的结合化学键中断。原子或分子在固体表面形成的这种中断键称为不饱和键或悬挂键。入射到基体表面的气相原子被这种悬挂键吸引住的现象称为吸引。吸附仅仅是由原子电偶极矩之间的范得华力起作用称为物理吸附。吸附是由化学键结合力起作用称为化学吸附。 能量 化学吸附 引力 斥力 物理吸附 rc Qc 0 r Ed Ea Qp rp 吸附过程能量曲线 固体表面的这种特殊状态使他具有一种过量的能量称为表面自由能。伴随吸附现象的发生而释放的一定能量称为吸附能。将吸附在固体表面上的气相原子除掉称为解吸，除掉被吸附气相原子的能量称为解吸能。 二、表面扩散过程 吸附原子表面扩散示意图 Ed ED 1/6~1/2 吸附能 表面扩散能 三、凝结过程 假设单位时间内沉积在单位基体表面上的原子数为J（个/cm2.s），吸附原子在表面的平均停留时间为?a,则单位基体表面上的吸附原子数n1为： n1=J. ?a=J ?0.exp(Ed/kT) 吸附原子表面扩散时间为?0，它在基体表面上的扩散迁移频率fD为 ： fD=1/?D=1/?0’ exp(-ED/kT) （?D为平均表面扩散时间， ?0’ 为表面原子沿表面水平方向振动的周期） 假设?0=?0’ ，则吸附原子在基体表面停留时间内所迁移的次数为 ： N=fD. ?a=exp[(Ed-ED)/kT] 一个吸附原子在这样的迁移中与其他吸附原子相互碰撞就可以形成原子对。这个吸附原子的捕获面积SD为： SD=N/n0 (n0是单位基体表面上吸附位置数。） 所有吸附原子的总捕获面积为： SΣ=n1SD=n1N/n0=fD.?an1/n0=n1/n0exp[(Ed-ED)/kT] SΣ1 在每个吸附原子的捕获面积内只有一个原子，故不能形成原子对，也就不发生凝结。 1SΣ2 发生部分凝结。 SΣ2 在每个吸附原子捕获面积内，至少有两个吸附原子。因此所有吸附原子都可结合成为原子对或更大的原子团，从而达到完全凝结，由吸附相转变为凝结相。 物理参数： 凝结系数 粘结系数 αs=1/J.dn/dt 热适应系数 α=(Ti-T?)/(Ti-Ts) 6-2 核形成与生长 薄膜的形成与成长形式 岛状形式 单层成长形式 层岛结合形式 三维核 单晶生长 单晶上形成三维核 一、核形成与生长的物理过程 入射原子束 再蒸发 入射原系束直接碰撞 表面扩散 核形成 核生长 核形成和生长的物理过程 反射 ↖ 原子 团 ↙ 临界核 ↙ 稳定核 ↙ 二、核形成理论 热力学界面能理论（毛细管现象理论） (Detail) 原子聚集理论（统计理论） (Detail) 1、热力学界面能理论 基本思想： 将一般气体在固体表面上凝结成微液滴的核形成理论（类似于毛细管湿润）应用到薄膜形成过程中的核形成研究。这种理论采用蒸气压、界面能和湿润角等宏观物理量，从热力学角度处理核形成问题。 若体系总自由能变化、固相体积、固液相界面面积、固相单位体积自由能变化、界面单位面积自由能分别用?G、V、S、 ?Gv、σ来表示。 ?G= ?Gv（↓）+ ?Gs（↑）=V. ?Gv + S. σ ?Gv T 固液相变化时体积自由能变化 T0 液相 固相 To: 结晶温度 临界核尺寸：当核中原子数超过临界原子数时才能形成稳定核 θ