微电子器件失效激活能的快速确定及其研究.pdfVIP

微电子器件失效激活能的快速确定及其研究 廖京宁李杰郭春生程尧海李志国 Email：!亟Qi地鲤i坠g@塑堕监蜘巫￡血：￡坠北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室，北京100022 摘要：提出了一种新的微电子器件加速寿命试验方法——温度斜坡法，建立了确定失效激活能的新模型，并通过 试验验汪了模型的正确性。在数据分析和处理的基础上，对器件退化过程中的每种失效机理进行研究，获得器件不 同失效模式下相应的失效激活能，并提¨{了失效激活能矢量概念。 关键词：加速寿命试验温度斜坡法失效激活能 LIFETESTFOR ACCELERATED RAPIDIjYCONFIRMING ACTI、硝LTIONENERGY0F MICROELECTRONICDEVICE ofElectronicInformationandConⅡol University College Engineering，Beijing Abstract：Anewmethod methodfor of ofmicroelectronicdevicesis evaluationreliability TemperatureRamp rapid andthenewmodelhasbeenset thenewmodel．themieroelectronicdevice’sactivationcanbe proposed upUsing energy confirmed．AndthemodelisOilthe provedtruebasedexperimentThroughstudy ofelectronics calculatedAndaflewactivation activationcanbe progress devices，eachcorrespondingenergy energyconcept isproposed Words：Acceleratedlifeten Activation Key TemperatureRamp energy 1引言 当今，半导体器件和半导体集成电路由于其功能强、体积小和可靠性高而被广泛的应用。各个生产厂 商在追求高集成度、高性能的同时，高可靠性也是保证其产品质量和和被客户接受的‘个重要保障吲素。 关键的部件更是减小到10-Io，11Ll’zjo因此，缩短可靠性寿命试验时问，降低试验成本，是可靠性T程和新 产品研制过程中急需解决的问题之一。然而，获得器件的不同失效模式下的失效激活能是确定器件寿命的 重要途径。 研究表明，电子器件的各种失效机理都对应了一个失效激活能，这是指激发器件某种潜在失效所需要 的最小能量，与器件不同的失效模式和失效机理有关，是反映材料和器件抗拒某种失效能力的一个重要表 征参数”J。因此，快速获得器件失效激活能后，可以大大缩短对器件失效率、寿命等可靠性参数的评价时 间。 本文在运用序进应力加速寿命试验方法一一温度斜坡法，建立模型。通过确立器件的敏感参数退化率 和应力水平之间的关系，由单支样品的试验数据，计算得到不同温度段的失效激活能。 2理论及模型 研究表明，半导体器件的失效机理基本上是物理过程或化学过程，而温度又可改变许多物理和化学反 应得速度，所以，温度经常用作寿命试验中的加速参数，提高温度可加速多种失效机理。 有关，建立模型为[6，7】： dM／dt2∥“V…exp(一Q／KT)