掺氮ZnO薄膜的光致发光特性研究.pdfVIP

第31卷第6期 压 电 与 声 光 Vo1．31NO．6 2009年 12月 PIEZ0ELECTRICS AC0USToOPTICS Dec．2009 文章编号 ：1004—2474(2009)06—0881—04 掺氮 ZnO薄膜的光致发光特性研究 沈洪雪，李合琴 ，方广志 (合肥工业大学 材料科学与工程学 院，安徽 合肥 230009) 摘 要：采用射频磁控溅射技术 ，通过改变 O ：Nz比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜，研究了 掺杂薄膜的光致发光(PL)特性 。观察到 370~380nm、390~405nm 附近的2个荧光峰。结果表明，随着薄膜 中N 掺杂量的不同，荧光峰峰位发生了相应的变化 ，强度也发生了明显的变化。当Ar：O ：N 为 15：7：8时，薄膜 中N含量最多，分别在 374nm、391nm处出现 了发光峰且发光强度最佳 ，此时薄膜 已明显表现出P型 ZnO薄膜 的 特征。 关键词 ：p型 ZnO薄膜 ；N受主掺杂 ；荧光光谱 ；红移 中图分类号 ：TB43 文献标识码 ：A StudyonthePhotoluminescencePropertiesofN-DopedZnO Films SHEN Hong-xue，LIHe-qin，FANG Guang-zhi (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：ThedifferentN—dopedZnO thinfilmsweregrownbyRFmagnetronsputteringontheglasssubstrates bychangingtheratioofOztoN2．Theirphotoluminescence(PL)propertiesweremeasured．Twopeakswereob— servedrespectivelyaround370nm to380nm and390am to405nm．Theresultsshowedthattheintensityandposi— tionsofthesepeaksarechangedwithdifferentN contents．ThereisthemostN contentinthefilm whentheration ofAr：O2：N2is15：7：8，atthesametime，thepeakslocatedin374nm and391nm arethehighestintensity， thecharacteristicofP—typeZn0 filmshasalreadyappeared． Keywords：p-typeZnO film ；N acceptorimpurity；fluorescencespectrometry；redshift ZnO是一种直接带隙半导体化合物 ，其室温禁 表 1 掺 N 的ZnO薄膜的制备工艺 带宽度为 3．37eV，激子束缚能为 60meV，具有单 一 导电类型，故作为紫外发光器件和紫外激光器件 的候选材料而备受人们的关注L1]。未掺杂 ZnO薄 膜因其本征缺陷造成的化学计量 比失衡，特别是氧 空位 (。)和锌问隙原子 Zni使其成为天然 n型半 导体 ；而理论计算预 言了N元素可在 ZnO薄膜 中 采用 日本 RigakuD／Max-rB型 X_射线衍射仪 形成浅的受主能级，进而实现 P型导 电L2]。本文中， (CuKa，一0．15406nm)对样 品的晶体结构 、结 晶 我们在室温条件下利用射频磁控溅射技术在玻璃衬 性能进行分析 。利用 FL-4500荧光分光光度计 ，激 底上制备了N掺杂 ZnO薄膜 ，对不 同掺 N量 Zn