MOCVD生长蓝光LED外延片研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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MOCVD生长蓝光LED外延片研究.pdf

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1 第十届全国MOCVD学术会汉论文集』～州2007年1JJ26日至29日 03—015 MOCVD生长蓝光LED@I,延片研究李述体，范广涵，周天明，何苗，章勇，孙慧卿，郭志友，郑树文 (华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东广州510631) 测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、 7／cm2，表明晶衍射峰半高宽分别为225arcsec，256arcsec。原子力显微镜测量其位错密度为8×10 其质量良好。对蓝光LED外延片的结构设计和生长进行了研究，获得了较好的结果。关键词：半导体；GaN；MOCVD；光致发光；x射线衍射；霍尔测量 and blueLEDwafers onMOCVD and ofIII—Vnitrides Study growthproperties highbrightness Li Huiqing，GuoZhiyou，Zheng Shuti，FanGuanghan，ZhouTianming，HeMiao，ZhangYong，Sun Wenli Shuwen，Wang ChinaNormal of MaterialSand University， (InstituteOpto—electroniC Technology，South Guangzhou，510631，China) Abstract：TheofIII—Vnitridesand blueLEDwaferswere growth highbrightness performed a SwanMOCVDon ofGaN were Thomas layersinvestigated by sapphiresubstrates．Properties diffractionand mJ measurement， opticalcroscope， byphotoluminescence，HallX—ray were225 FWHMsof(002)and(102)diffractionarcsec，256arcsec， respectivelY．The peaks thediSlocationeducedAFMwas8×10。／cm‘，Whenthethickness respectivelY，and density by ofGaNfilmwas2．5 m．TheinfluenceofGaN modeandthestructureofLEDwafer u growth tothe