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第十六_全田化合物半-争体、做波嗣l件和光电嗣l件掌术奢议 西安’10
基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管
的制备与研究
程轶，梁红伟，柳阳，刘远达，边继明，骆英民，张贺秋，
胡礼中，杜围同
16024)
(大连理工大学物理与光电J二程学院，辽宁大连I
异质结发光一二极管。电敛发光(EL)卜该异质结表现出典掣的：极管整流特性，iI：向开启电胜约15V。小电漉(30mA)注入时，
II，明显得到InGaN／GaNmulti—quantum—wells(MQW)的黄绿发光峰。H随荷电流增大。发光强度增大。通过对比nZnOIMQW／p-GaN
GaN歼质结成功实现r量子阱阱
异质结EL光谱和MQW／p—GaN的光致发光(PL)光谱，证明n～Zn0薄膜作ii型层的Ii-ZnO／MQW／p
层的发光，并观测剑随注入电流在一定范围内增加，MQw的发光强度增加。
关键词：金属有机化学气象沉积(MOCVD)
．n-ZnO／MQWs／p-GaN异质结，InGaN／GaN多量子阱。
中图分类号：0482．3I 文献标识码： 文章编号：
Thefabrioationand ofInGaN
study yeI|ow-green
i onI
Li i tti Di odebasedonn-ZnOeI eotroni ect
ght—Emng nj ayer
atI OW
grown temperature
Hongwei，LiuYuanda，Bian Yingmin，ZhangHeqiu，
ChengYi，Liang Yang，Liu Jiming，Luo
Flu Gumong
Lizhong，Du
Abstract：WeachievedtheUltraviolet under emissions AIGaNElectron
lightemitting electroluflllmesc@flce(ELlbyintroducing
betweenn-ZnOand a currentrectiffcation
BlockingLayer p-GaN．Then-ZnO／AIGaN／p-GaNheterojunctionpresentsrepresentative
thethreshold of iS near·Ultraviolet．Inaddition，westudiedthe
with
propcrty voltage15V．11∞emittinglightrelativelystrong
ofn-ZnOflints with ofGa．Wefoundblueshifl whenthe
electroluminescence(EL)emissionsdopeddi妇砌quantity happens quantity
is the
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