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第十五詹全田化合物半导体、做波器件和光电器件掌术喀-议
WED-·GaN—-D05
激光剥离N极性面GaN的表面粗糙化研究
康香宁，魏伟，易业文，方浩，代涛，章蓓，张国义
(北京大学物理学院人J：微结构与介观物理国家重点实验室，北京100871)
摘要：结合制各功率型GaN基发光二极管(LED)的具体要求，为提高GaN基LED的出光效率提供切实可行的技术方案，通过激
光剥离技术(LLO)获得了具有N极性面的GaN材料，利用KOH溶液和反应离f刻蚀的方法在N极性的GaN上获得了粗糙化
的表面，构成粗糙化表面的晶粒密度和体积决定了GaN表面的粗糙化程度，晶粒的形貌与N极性面的晶体质量和晶面取向有关，
研究了租糙化表面形貌与刻蚀条件的关系，分析了其形成机理和决定冈素，指出粗糙化表面上的晶粒起源于GaN材料中的缺陷，
粗糙化程度和表面形貌与刻蚀的条件密切相关。
关键词：激光剥离，GaN，粗糙化，LED
中图分类号：TN312．8 文献标识码： A 文章编号：
i surfaceI onLaserLi ft’’offofN—‘faceGaN
Roughenng Morphoogy
Yi，Hao Tao，Bei
Xiangningkang，Weiwei，YewenFang，Dai Zhang，GuoYiZhang
Microstructure
(StateKeylaboratoryofArtificial andMesoscopicPhysics,School
Abstract：Forthe GaNbased feasibleandnovel shouldbe N—faceGaN
ofstudyhighpower LED，some project necessary．The
purpose
filmwasrealizedlaser surfaceWas solutionsofKOHandRIEetch
lift—off(LLO)．The
by roughening presentedbyaqueous
methodsontheN—faceGaNfilm．The decidedonthe andsizeofthe surface
roughness density cone—shapedgrain．111e
the andtheorientation the between
on
morphologydependedcrystalquality ofmonocrystalline．Studyrelationship
isdescribed．
andetchcondition．Theetchmechanismanddeterminant
roughness
words：laser
Key lift—off,GaN，roughness，LED。
EEACC：B40
特殊的器件结构【3。5]和引入表面微结构两种
1引言
主要方案，引入表面微结构的方案可以在优
化各种LED芯片结构基础上进一步提高出光
以GaN为代表的III．V族氮化物是最重
要的宽禁带半导体材料体系之一，GaN及其效率，包括制备表面周期性微结构、光子晶
合金在包括绿色、蓝色直至紫外波段的发光 体结构和进行表面粗糙化等方法睁81，它们对
二极管(LED)、激光器(LD)和探测器上
出光效率有着不同程度的提高，相
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