氩气压强对柔性衬底ZnOAl薄膜性能的影响.pdfVIP

· 6 · 材料导报B：研究篇 2014年 10月(下)第28卷第 10期 氩气压强对柔性衬底 ZnO：AI薄膜性能的影响 李 姗 ，杨恢东 。，汪文明 ，雷 飞 ，闵文骏 (1 暨南大学信息与科学技术学院，广州 510632；2 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027) 摘要 采用直流磁控溅射技术在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备 Zn0：Al透明导电薄膜，研究氩气压强对样 品薄膜结构、形貌和光电性能的影响，并与玻璃衬底进行了对比。结果表明：所有制备的ZAO薄膜都是六方纤锌矿 结构且具有高度的C轴择优取向；氩气压强对样品薄膜的性能有较大影响，具体表现在：随着压强的增大，晶粒尺寸 先增大后减小，方块电阻值先减小后增大，最小值出现在压强为 l2Pa，其值为 12f~／sq，600~800nm薄膜的相对透 射率为94 ，高于玻璃衬底的相对透射率。 关键词 氩气压强 柔性衬底 ZnO：A1薄膜 直流磁控溅射 中图分类号：TB333；0484 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2014．2O．002 EffectofArgonPressureonPropertiesofFlexibleZno ：AIFilms LIShan，YANGHuidong ，WANGWenming，LEIFei，MINWeniun (I CollegeofInformationScienceandTechnology，JinanUniversity，Guangzhou510632；2 StateKey LaboratoryofSiliconMaterials，Zh@angUniversity，Hangzhou310027) Abstract TheA1一dopedZnO (ZnO ：A1)thinfilmsweredepositedbyIX；magnetronsputteringatroom tern— peratureonflexiblePIsubstrate．Thestructure，morphologyandphotoelectricpropertiesoftheZAO filmswerein— vestigated．Theresultsshow thatallZAO thinfilmsarepolycrystallinewith ahexagonalstructureandapreferred orientationperpendiculartothesubstratesalongthef—axis．W iththepressurefrom 10Pato14Pa．the(002)diffrac— tionpeakoffilmsandthegrainsizeinitiallyincreaseand then decrease．At12Pa，thefilm achieveoptimalperfor- mance，asthesheetresistanceiS12Q／sq．Theabsolutetransmittanceof600—800nm film iS94 ，whichiShigher thanthatofglasssubstrate． Keywords argonpressure，flexiblesubstrate，ZnO ：A1films，IX；magnetronsputtering ITO薄膜的最佳功能薄膜材料_5]。目前用于制备 zAo薄膜 0 引言 主要的方法有化学气相沉积[6]、溶胶一凝胶法_7]、脉冲激光 目前半导体器件逐渐向小型化和轻量化的方向发展，就 法_8]、真空反应蒸发_l9]、等离子体沉积法_l1、喷涂法口及磁控 衬底制备技术而言，传统意义上的玻璃等硬质材料已逐渐被 溅射法[1等。 柔性衬底所代替口]。