立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究.pdfVIP

第32卷 第3期 吉林 大学 学报 (信 息科 学 版) V0l_32 No．3 2014年 5月 JournalofJilinUniversity(InformationScienceEdition) May2014 文章编号：1671-5896(2014)03-0284-04 立方氮化硼空间电荷限制 肖特基二极管研究 侯国华 ，姜麟麟 (1．吉林广播电视大学 开放学院，长春 130022；2．吉林大学 汽车工程学院，长春 130022) 摘要：为解决金属／立方氮化硼 (c—BN)接触问题，提出si掺杂的立方氮化硼单晶的上表面采用cu—zn合金探 针、下表面采用 Ag浆烧结 ，制备一个空间电荷限制肖特基二极管。室温下 ，_ 特性实验数据表明，在 10v时 器件的整流比为370。提出了该器件的等效电路模型，并且结合空间电荷限制电流和热电子发射理论对实验结 果进行了分析。结果表明，正向电流与 电压呈现二次幂函数关系。实验测量发现，该二极管开启电压高达 4．2V，最高工作温度超过500oC。 关键词：金属／立方氮化硼；整流；空间电荷限制电流；等效电路模型 中图分类号：TN31 文献标识码：A Space—Charge—LimitedCurrentsine—BN SchottkyDiodes HOU Guohua ，JIANGLinlin (1．CollegeofOpen，JilinRadioandTVUniversity，Changehun130022，China； 2．CollegeofAutomotiveEngineering，JilinUniversity，Changchun130022，China) Abstract：Tosolvethethemetal／cubicboronnitride(c-BN)contactproblem，weputforwardthesidopingofcubic boronnitridesinglecrystalonthesurfaceoftheCu-zincalloyprobe，thesurfaceusestheAgplasmasintering，the preparationofaspacechragelimitedschottkydiode．Theexperimental datashowedthatthecharacteristicsofI-Vat room temperature，thedeviceinDC10V whenhterectification ratiois370；thepositivecurrentandvoltageistwo timesthepowerfunction relationship．Wiht hte spacechragelimitedcurrentandthermionicemissiontheory，the experimental resultsraenaalyzed．nadtheequivalentcircuitmodelofthesampledevice． Keywords：metal／cubicboronnitride；rectifier；spacechargelimitedcurrent；equivalentcircuitmodel 0 引 言 近年来，人们对高温器件和紫外光电器件不断关注与需求，立方氮化硼(c—BN)由于诸多优 良的性能， 如高硬度(仅次于金刚石)、导热系数高(常温下约 14w／(cm ·K))和电子态禁宽宽度达~JllO．24X10 J， 是理想的切削加工刀具材料等而备受关注。在电子学方面，c-BN(CubicBoronNitride)可用作深紫外光电传 感器和紫外光发光器件，其化学稳定性好，适合于高温、大功率应用。因此，立方氮化硼被认为是优 良的半 导体宽禁带材料之一，只是因为大尺寸单晶材料合成和加工困难而限制了其在应用领域的发展 。 通过杂质热扩散工艺，将c．BN单晶进行N型和P型掺杂，制备出高温半导体器件，可应用在航天器 和新能源汽车锂电池组件旁路并联保护二极管，具有正向DC4．2