两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究.pdfVIP

助 锨 财 许 2007年增刊(38)卷 两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究木 谢茂林，罗德礼，鲜晓斌，冷邦义，范辉 (中国工程物理研究院，表面物理与化学国家重点实验室，四川绵阳621907) 摘要：采用两面顶低温超高压(u二HP)技术在压力物相组成及显微结构等。 4．5GPa、温度(1250±50)℃、烧结时间20lIlin的条件 2实验 下烧结制备了纳米碳化硅(siC)陶瓷，研究了烧结体 的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压 2．1 原料 痕力学性能等。结果表明，不添加烧结助剂且在较低温 D．SiC粉末为合肥开尔纳米有限公司生产(纯度 度下获得的SiC烧结体的相对密度高达98．4％，其显微 硬度达到HV3520：纳米压痕测试硬度高达H31．74GPa、 弹性模量即13GPa；烧结体的晶粒尺寸约为89nm，结 2．2制备过程 构致密，无气孔． 关键词： 两面顶；超高压；烧结；碳化硅 50目筛后再次经CIP压制成型素坯。素坯经高温真空 中图分类号： TB036+．5 文献标识码：A 文章编号： 1001．9731(2007)增刊．3790-03 装入包套。包套与适量食盐置入模压机中压制得 1 引 言 置入高压柱体(包套元件压制示意图如图l所示)，采 现代国防、核能和空间技术及汽车工业、海洋工程 用LT．船烧结工艺(两面项技术制备SiC陶瓷的压力温 的迅速发展，迫切需要各种新型高性能结构材料。碳化 度示意图如图2所示)制备了黑色SiC陶瓷。 硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热 膨胀系数小、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特 性，因此，已经在很多领域大显身手，并日益受到人们 的重视‘1。31。 然而，SiC是一种共价键性很强的化合物，其自扩 散系数极小，可烧结性很差。在传统的烧结工艺条件下， 如果不加入烧结助剂，纯SiC是很难烧结致密的。为了 获得致密的siC烧结体，必须采用siC细粉及添加适量 烧结助剂。烧结助剂的引入导致Sic陶瓷的许多性能受 图1 sic削备包套元件压制示意图 1 SketchofSiC andsintermodule 到影响，如高温力学性能等；此外，在引入烧结助剂的 Fig map press 情况下，SiC陶瓷的无压烧结温度和热压烧结温度仍在 1850℃以上，过高的温度导致SiC晶粒长大，也限制了 军 高性能陶瓷的获得【1—5I。在超高压力(lGPa)下的烧 专 结过程具有很多特点：首先高压下粉末颗粒间紧密的接 岛 触和局部的挤压有利于它们表面上原子的键合；其次， 暑 ： 体系的高度压缩状态可以大大促进材料在烧结时的致 l L 密化过程；再次，超高压在很大程度上改变了材料所处 的热力学状态，有可能形成新的高致密相结构或新的高 11me，mln 压化合物。这些特点对于具有高熔点，需要在高温下烧 图2 LP．m烧结制备sic压力温度工艺示意图 LP-HT 结的材料具有十分积极的意义陋引。 2Pr