纳米硅单晶硅异质结二极管的I-V特性.pdfVIP

维普资讯 第 52卷 第 11期 2003年 11月 物 理 学 报 Vo1．52，No．11，November，2003 1000—3290／2003／52(11)／2875—04 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2003Chin．Phys．Soc． 纳米硅 ／单 晶硅异质结二极管的 特性 刘 明 刘 宏 何宇亮 ”(中国科学 院微 电子 中心 ，北京 100029) (苏州科技大学应用物理系 ，苏州 215000) (南京大学物 理系 ，南 京 210093) (2002年 12月 20 日收到 ；2003年 1月 24 日收 到修改稿) 用纳米硅 (nc—Si：H)薄膜制成 了纳米硅 ／单 晶硅 (nc—Si：H／c—Si)异质结二极管 ，对 nc．Si：H／c—Si异质结的特性进行 了研究 ，它具有很好 的温度稳定性 ．温度从 20~C上升到 200℃，／-V曲线只有很小的漂移 ．对 nc—Si：H／c—Si异质结二极 管的输运机理进行 了讨论 ． 关键词 ：异质结二极管 ，纳米硅薄膜 ，输运机理 PACC：7360F，6150C，6114H ，6855 H作为一种具有新颖特性 的材料 ，对其研究主要集 1．引 言 中在材料制备和结构上 ． 本文将报道 Re—Si：H／c—Si异质 结二极管及其 ，． 两种材料禁带宽度的不 同以及其他特性 的不 同 I，特性 ，并对其输运机理进行定性解释 ． 使异质结具有一系列 同质结没有 的特性 ，在器件设 计上将得到某些同质 结不能实现 的功 能 ．如在 异质 2．HC—Si：H／c．Si异质结二极管 结晶体管 中用宽带一侧做发射极可得到很高 的注入 比，因而可获得较高 的放大倍数 ．如果在异质结 中两 Re—Si：H／c—Si异质 结二极管截面示 意 图如 图 1 种材料的过渡是渐变 的，则禁带宽度 的渐变就相 当 所示 ．衬底材料为 P型 (100)c—si，掺杂浓度为 5× 于存在一个等效 电场 ，使载流子 的渡越时间减少 ，器 10cm～．用干法氧化生长 lOOnm左右的 SiO，层 ，然 件 的响应速度增加 ．此外 ，同质异质结是一种 多数载 后在 SiO，薄膜上光刻 30ym×30ym 的窗 口，将 已刻 流子器件 ，速度 比少子器件高 ，更适合做成高速开关 出图形 的 si衬底放 入 PECVD生 长室 ，淀积 一层 器件 ．正 因为 以上特 点，早在 20世纪 60年代初期 ， 20nm左右的 Re—Si：H薄膜 ．用热蒸发方法在 Re．Si：H 当pn结 晶体管刚刚取得 巨大成功时，人们就开始 了 上蒸一层约 1ym厚的Al作为下 电极 ．霍耳效应测量 对异质结 的研究 ‘． 表明nc—Si：H是弱 n型半导体 ．而本文选用 的衬底 目前对异质结 的研究主要集 中在对异质结 的能