表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究.pdfVIP

第 59卷 第 4期 2010年4月 物 理 学 报 Vo1．59，No．4，April，2010 1000—3290／2010／5904)／2746-07 ACTA PHYSICA SINICA ~2010Chin．Phys．Soc． 表面电荷与体陷阱对 GaN基 HEMT器件热电子 和量子效应的影响研究 郝立超 段俊丽’ 1)(同济大学物理学 院，上海 200092) 2)(上海交通大学医学院附属新华医院，上海 200240) (2009年8月6日收到 ；2009年 8月 19日收到修改稿) 研究了GaN基HEMT器件表面 电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响．通过分析表面 电荷与体陷阱对电流坍 塌效应 、饱和电流和膝点电压 的影响，初步确定了其变化关系．研究结果显示表面电荷 的增加能够耗尽二维 电子 气 ，减弱电流坍塌效应 ，降低饱和电流 ，使膝点电压非正常后移．同时，体陷阱的减小可以有效减弱 电流坍塌效应 ， 增大饱和电流 ，且膝点电压基本保持不变．晶格温度较低时，热 电子效应和量子隧穿效应对 电流坍塌效应影响显 著．采用流体动力学模型，分析了引起 电流坍塌效应的内在物理机制 ，并获得 了器件设计和制备的优化方案． 关键词 ：GaN-HEMT器件 ，电流坍塌效应 ，热电子效应 ，表面电荷 PACC：7320D，7340N，7360L 测 量 可 以得 到 一个 0．3—0．4 eV 间 的激 活 能， 1．引 言 Hasegawa等 ¨将表面能级定在导带底 以下 0．37 eV，但 Meneghesso等 则认为表面能级是价带顶 第三代宽禁带半导体材料 GaN不仅具有宽的 上0．3eV的空穴陷阱．有些物理参数到 目前为止尚 禁带 (3．47eV)，而且还具有热导率大、电子饱和速 未确定． 率高、击穿场强大及热稳定性好等特性，因此在制 现在有很多对 GaN基 HEMT器件进行模拟计 备高温、高频 、高压及大功率器件方面备受关注，在 算 的模型 ’’ ．但是大多数模型忽略了对器件 军用和民用市场有着广阔的应用前景 ．但是电 影 响重大 的两个 因素 ，即沟道处 二维 电子气 流坍塌效应 、热 电子效应、极化效应和 自加热效应 (2DEG)的量子隧穿效应 和热电子效应．这两个 等不利 因素 的存在 ，限制 了 GaN器件 的广泛应 效应都可 以使沟道中的电子克服势垒层和缓冲层 用 一 ．为了进一步提高 GaN基 HEMT器件 的性 的势垒，进入势垒层和缓冲层并被体 陷阱俘获，从 能，建立可与不同工艺水平相适应的器件模拟平台 而对电流坍塌效应产生重要影响．同时，这些模型 是十分必要 的．GaN基 HEMT器件 的制备工艺复 多数是基于 自加热效应对电流坍塌效应 的影响来 杂 ，周期长且价格昂贵．为降低开发费用 ，提高产 品 进行研究 ’，对饱和电流及膝点 电压变化的研究 性能，器件模拟成为实验之外一种非常重要 的工 较少．即使有研究提到饱和电流和膝点 电压变化， 具 ，为器件的优化提供了一种切实可行、省时 也只是简单介绍 ¨，对电流坍塌效应影响的内在物 省力的方法．通过器件模拟技术可 以了解制约器件 理机制鲜有研究．这些都使对 GaN基 HEMT器件的 性能的物理机制，为进一步提高器件性能提供理论 认识不够完整，不能全面地把握各种现象 内在 的 支持… ．但