过模结构0.14 THz高功率脉冲探测器研制.pdfVIP

第 25卷第 11期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．25，NO．II 2013年 i1月 HIGH POW ER IASER AND PARTICLE BEAMS NOV．，2O13 文章编 号 ： 1001—4322(2013)1卜2959—06 过模结构 0．14THz高功率脉冲探测器研制 王光强 ， 王建国 ， 童长江 ， 王雪锋 ， 李 爽 ， 陆希成 (1．西北核技术研究所 ，西安 710024； 2．西安交通大学 电子与信息工程学 院，西安 710049) 摘 要 ： 基于 n型硅在强 电场下的热电子效应 ，初步研制了一种采用过模结构的0．14THz高功率太赫 兹脉冲探测器 。该探测器 由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10，n型硅探测芯片和偏置恒流源组成。 模拟分析了探测器 的工作过程 ，给 出了相对灵敏度表达式 ，结果表 明过模探测器能很好地工作在 TE。模式。 合理设计 了探测芯片的结构参数和加工工艺，完成了探测芯片的加工和探测器样机的制作 。将探测器样机在 0．14THz相对论表面波振荡器 的辐射场进行 了初步的验证性实验 ，并与二极管检波器的测量结果进行了对 比 分析 。结果表明：过模探测器样机 的响应时间在 ps量级 ，相对灵敏度约为o．12kW ，最大承受功率至少为数 十 w，可用于 0．14THz高功率脉冲的直接探测 。 关键词 ： 高功率太赫兹脉冲； 过模 ； 探测器 ； 热 电子 中图分类号 ： TN129； O441．5； TN305 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPLP2959 相对论真空 电子器件成为了目前太赫兹辐射源[1研究的一个热点，主要包括回旋管 和各种相对论切伦 科夫发生器等l4。]。此类源大都 由相对论高压电子束驱动，辐射信号具有功率高(可达兆 w 量级)、脉宽范围广 和电磁环境复杂等特点 ，而且信号频率已位于电子学技术 的边缘 ，但又远未达到光学范畴，因此给它的参数测 量带来了新的困难 ，尤其是功率测量 。目前对于该频段的高功率脉冲，平均功率测量一般采用基于热效应的量 热计和热释电探测器等 ，峰值功率则需要结合检波器件等计算得到。而对于高功率太赫兹短脉冲波 ，单次脉冲 脉宽短、能量低 ，使得灵敏度较低且响应时间一般在 ms量级 的热效应器件不再适用 ，只能采用检波器件进行 相对测量 。常用的二极管检波器 由于最大承受功率和线性工作区的最大功率都很小 ，测量时需要引入大量 的 衰减 ，这就大大降低了功率测量精度 ，并容易引起待测脉冲波形 的畸变。在高功率微波领域 已有较多应用的电 阻传感型检波器 (RS)，因其原理是基于强电场下的热电子效应 ，能够承受 kw 量级 的脉冲功率，有望解决高功 率太赫兹真空电子器件辐射信号 的直接测量问题 。立 陶宛半导体物理研究所在 RS的研制方面做了大量 的工 作 8¨]，并将其成功拓展并应用于 0．1THz频段 [9]。国内也开展 了相关研究 ，先后成功研制 出S，X和 Ka波段 的RS[1“]，并对 0．14THz频段 的RS进行了分析设计 引。然而，这种传感器是在工作频段 的单模波导 内利 用半导体芯片进行脉冲探测 ，结构尺寸随频率的增大迅速减小 ，使得它在更高频段的设计加工非常困难 ，费用 也大大提升。为此 ，我们在传统 RS的结构基础上 ，引人过模探测结构 ，设计了一种 0．14THz窗 口频带的新型 高功率脉冲探测器 ，并在国内现有材料参数 的基础上 ，完成了探测芯片 的设计加工 ，制作 了过模探测器样机 。 最后 ，采用探测器样机在 0．14THz相对论表面波振荡器 的辐射场进行了验证性实验 ，初步分析了探测器 的响应时间、相对灵敏度和最大承受功率等性能。 1 探测器结构与灵敏度 基于过模结构 的0．14THz高功率脉冲探测器设计如图 1(a)所示，主要由基模波导WR6、过渡波导、过模 波导 WR10、探测芯片、匹配负载和偏置恒流源 ，。组成 。其 中，探测芯片置于过模波导 WR10的宽边中心 ，构 成过模探测模块 ，结构剖面如图 1(b)所示 。设计的芯片与传统 RS芯片的基本结构类似 ，包含两个完全相 同的 (a)detecto