电针对血管性痴呆大鼠海马NMDAR-2B mRNA表达及学习记忆能力的影响.pdfVIP

电针对血管性痴呆大鼠海马NMDAR-2B mRNA表达及学习记忆能力的影响.pdf

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针刺研究 2008年 1O月 第 33卷 第 5期 电针对血管性痴呆大 鼠海马 NMDAR一2BmRNA表达及学习记忆能力的影响 林穗金 王 玮 (福建 医科大学人体解剖学与组织胚胎学系,福州 350004) 【摘 要】 目的:探讨 电针改善血管性痴呆 (VD)大鼠学习记忆能力的作用机制。方法 :将成年雄性 SD大 鼠采用永久性结扎双侧颈总动脉法建立 VD模 型,设立空 白组 、假手术组、模 型组、电针非穴位组和 电针穴 位组,每组各 10只。电针穴位组选取 “百会”“大椎”和双侧 “肾俞”穴,电针非穴位组选取第 1腰椎和第 2腰 椎两侧胸腹交界处的非穴位点,每 天 1次,每次 2Omin,连续 30d。Morris水迷宫检测大鼠学习记忆能力, 用原位杂交技术测定大鼠海马 CA 1区和齿状 回N一甲基一D一天冬氨酸受体 (NMDAR)一2BInRNA 的表达。 结果 :与空白组 比较 ,模型组平均逃避潜伏期延长,平台所在象限停 留时间缩短,海马结构 NMDAR一2BinR— NA表达减少(P0.05)。与模型组相比,电针穴位组的平均逃避潜伏期缩短,平台所在象限停 留时间延长, 海马结构 NMDAR一2BniRNA表达增高(P0.05);电针非穴位组与模型组比较 ,各项指标无明显变化。结 论:电针穴位可以提高VD大鼠海马cA1区及齿状回NMDAR一2BmRNA 的表达,增强学习记忆能力。 【关键词】 血管性痴呆 电针 海马结构 NMDAR一2B基因表达 【中图分类号】R245.97 【文献标志码】A 【文章编号】1000—0607(2008)05—0301—05 Effect0fElectr0acupunctureonNM DAR一2BmRNA Expression inHippocampalTissueinVascu— larDementiaRats LIN Sui—jin, WANG Wei(DepartmentofAnatomy,HistologyandEmbryology,FujianMedicalUniversity,Fuzhou 350004,China) [ABSTRACT] 0bjective Tostudytheunderlyingmechanismofelectroacupuncture(EA)inimprovinglearning—memorya— bilityinvasculardementia (VD)rats.M ethods SD ratswererandomized intocontrol,sham operation (sham),VDmodel, non—acupointandacupointgroups,with 10casesineach VDmodelwasestablishedbyocclusionofthebilateralcommoncarotid arteries.Morriswatermazetestwasperformedtodetecttherats’learning—memoryability.TheexpressionofN—methyl—D—aspar— tatereceptor(NMDAR)-2BmRNA inhippocampalCA 1regionanddentategyruswasmeasuredbyhybridizationinsitu EA (2Hz, 1—2mA)wasappliedto “Baihui”(GV20),“Dazhui”(GV 14)andbilateral“Shenshu”(BL23)andnon—acupoint(thechest—ab- dominaljuncturebetweenthefirstandthesecondlumbarvertebrae)for20min,oncedailyfor30days.Results Self-compari- sonshowedthat6weeksaftermodeling,theescape latenciesofcontrolandsham groups,andthe lingeringduration inthe3 quadrantofwaterpoolofmodel,non-acupointandacupointgroupsdecreasedsignificantly (P 0.05),whiletheescapelatenci

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