多种尺寸和形貌Cu2 O的可控制备与表征.pdfVIP

第３４卷 第３期 桂 林 理 工 大 学 学 报 Ｖｏｌ３４Ｎｏ３ ２０１４年８月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＧｕｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｕｇ　２０１４  文章编号：１６７４－９０５７（２０１４）０３－０５３８－０６　　　　　 ｄｏｉ：１０３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ１６７４－９０５７２０１４０３０２２ 多种尺寸和形貌ＣｕＯ的可控制备与表征 ２ １ａ １ａ ２ １ａ １ａ 王丹宇 ，钟福新 ，莫德清 ，王　伟 ，王苏宁 ， １ａ １ａ １ｂ 黎　燕 ，陈兴强 ，朱义年 （１桂林理工大学 ａ化学与生物工程学院；ｂ环境科学与工程学院，广西 桂林　５４１００４； ２桂林电子科技大学 生命与环境科学学院，广西 桂林　５４１００４） 摘　要：以硫酸铜－乳酸体系为电解液，采用电化学法制备 ＣｕＯ，分别探讨了表面活性剂浓度、ＣｕＳＯ 浓 ２ ４ 度、溶液ｐＨ值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对ＣｕＯ形貌结构和尺寸的影响，并通过Ｘ射线衍射分析 ２ 仪和扫描电镜等对ＣｕＯ进行表征测试。试验结果表明：ＣＴＡＢ在一定范围内可以起到抑制晶体（２００）面生 ２ 长而促进（１１１）面择优生长的作用；随着 ＣｕＳＯ 浓度的增大，ＣｕＯ晶型由锥型向方型过渡；随着溶液ｐＨ值 ４ ２ （８、１０、１２）的增大，ＣｕＯ晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变；沉积电压的改变对 ＣｕＯ的择优 ２ ２ 生长晶面有影响，在２０Ｖ时晶体尺寸最大；随着溶液温度的提高，晶体尺寸呈先增后减的趋势，当温度为６０ ℃时，晶体粒径最大；加入浓度为２０００ｍｏｌ／Ｌ的ＮａＣｌ添加剂，ＣｕＯ呈现出二十四面体晶型结构。 ２ 关键词：电化学法；ＣｕＯ；十六烷基三甲基溴化铵 （ＣＴＡＢ）；ＮａＣｌ ２ 中图分类号：ＴＮ３０４２１　 　　　　 　　　　　　　　文献标志码：Ａ 氧化亚铜（ＣｕＯ）是一种无毒、热稳定性良好 化学沉积法，通过调节表面活性剂用量、ＣｕＳＯ ２ ４ 的Ｐ型窄带隙半导体材料，其禁带宽度为１９～２２ 浓度、溶液ｐＨ值、沉积电压、水浴温度、添加剂 ［１］ ｅＶ，比ＴｉＯ 的禁带宽度（Ｅ＝３２ｅＶ ）低很多，具 等反应条件参数，可控制备了多种形貌和尺寸的 ２ ｇ 有良好的光学性能和电学性能，光电转化的理论效 ＣｕＯ，详细讨论了反应条件对ＣｕＯ形貌和尺寸的 ２ ２ 率较高，在太阳能材料、光催化降解材料、传感器材 影响，获得了较好的效果。 料等方面有巨大潜力，因而受到人们的重视并成为 １　实验部分 研究的热点之一。当前