光照对taC%3aN膜电阻率的影响.pdfVIP

10-031 光照对taC:N膜电阻率的影响 刘妹 ‘王广甫，汪正浩’‘ (a北京师范大学 化学系;b北京师范大学测试中心) 氮掺杂的无定型E9面体碳膜taC:N(nitrogenincorporatedtetrahedralamorphouscarbonfilm), 由于其很好的热稳定性和高硬度，同时N的取代掺杂，使taC:N的导电性增强，具有广阔的应用前景 近十几年来引起了各国物理和化学科学工作者的关注. 我们用四探针法测量了不同含N量的taC:N膜的电阻率。结果表明四探针法测量的taC:N膜电限率 随N%和spC%的增加而增加 (图1).目前文献上对于taC:N膜电阻率与N%的关系说法不一[1-5),我 们的结果与文献(1(采用四探针法测量的结果相当，最近文献[6〕也报道了类似的结果。虽然N的掺入、 使taC:N呈现n型半导体的性质，但更多的N原子的存在，很可能改变碳膜原来的非晶态结构，部分地 形成CN,类化合物，以新的晶相存在于taC:N膜中，从而使测得的电服率增加. 后 9二_ E 三 ‘ 0 Or劝一 ，令 愁 了 吕 一 5 巴150- “ ‘ 5 巴 二 ’即二 全令令 艺 . 9 ，oc- 节 咎 巴 ， :。-二 铃， 劫 0一5一10~15一 7(I e 图1 tac:N膜平均暗电阻率随N%和spC%变化的关系 Figl.Theaveragedark-resistivityoftaC:NfilmsatvariousN%andspC%. 在研究中我们观察到光照对膜电阻率的影响很明显，并且某些taC:N膜的电阻率经光照后变大 ‘文 献(7]报道过这类化合物在强光照射时电阻率下降，但尚未发现低含氮量的碳膜经光照后电阻率变大的行 为的报道.为了进一步研究此现象，我们采用四探针方法分别测定了黑暗条件下和鸽灯光源照射条件下 的taC:N膜电阻率.结果发现，在光强度约为500uwlcm的条件下，N%在 卜洲左右的tac:N膜，经 光照后电阻率变大;N%在7一9%,能观察到明显的光“照使电阻率降低”的现象，电阻率下降约为15一25%; 当W 10%，光照对电阻率的影响不明显，光照后电阻率下降约为以或更小 (表1,图2,). taC:N膜电阻率在光照下表现出来的性质与其他半导体材料相比不太一样，这表明taC:N膜作为一种 新的材料，具有比较特殊的光