掺杂Ti的纳米CrSi2薄膜的制备.pdfVIP

年第 期( )卷 ２３１１０ ２０１４ ２３ ４５ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１４２３Ｇ２３１１０Ｇ０５ 掺杂 的纳米 薄膜的制备∗ Ti CrSi ２ １ １ １ １ １ ２ , , , , , 宋贵宏 王亚明 柳晓彤 李 锋 陈立佳 贺春林 　 ( , ; １．沈阳工业大学 材料科学与工程学院 沈阳 １１０８７０ , ) ２．沈阳大学 辽宁省先进材料制备技术重点实验室 沈阳 １１００４４ : 、 . , 摘 要 利用多靶磁控溅射设备交替沉积 和 热导率 然而 纳米尺度的高密度晶界也加剧载流子 　 　 CrTi , , , , 层 并通过随后的真空退火处理 制备了掺杂 的 传输的障碍或散射 减小载流子的迁移率 降低电导 Si Ti . , . , CrSi薄膜 交替沉积薄膜 ５００℃退火 ２h薄膜中除 率 通过掺杂效应对势垒层进行掺杂 可增加载流子 ２ ( , ) , , . , 含有 相外 还有部分残留的沉积 相和少 浓度 增加薄膜的电导率 因此 制备掺杂的纳米结构 CrTiSi Si ２ ; , . 量反应生成的 相 退火时间增加 沉积 相和 薄膜是获得高热电性能的一种途径 CrSi Si ( , ) ; 、 CrSi相减少而 CrTiSi相增多 ５００℃退火６h及以 CrSi基薄膜可以通过共蒸发 溅射或共溅射反 ２ ２ , ( , ) . 、 、 . 上时 薄膜中仅有 相 测量薄膜 射线衍 应 化学气相沉积 离子注入和固相反应等方法制备 CrTiSi X ２