掺钠钼电极在硒化铜铟镓（CIGS）太阳能薄膜电池应用.pdfVIP

第 3O卷第 12期 无 机 化 学 学 报 V01．30No．12 2014年 12月 CHINESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY 2753．2760 掺钠钼电极在硒化铜铟镓(CIGS)太阳能薄膜电池应用 陈文志 叶智为2 张 然 1 曾百亨2 陈 朝 1 张风燕 ，1 (厦门大学能源学院光伏薄膜 中心实验室，厦门 361100) (2台湾国立中山大学材料与光电科学学系，高雄 800042) 摘要：适量钠元素对铜铟镓硒薄膜生长具有促进作用 ．本文主要研究了掺钠钼电极特性及其对铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能 的影响。利用磁控溅射方法制备不同厚度的钼钠／钼(MoN删 o)薄膜作为背电极，并在(MoNa／Mo)薄膜电极上蒸镀铜~ (CIGS) 薄膜 ，并利用单质硒源硒化处理后制备 CIGS薄膜电池。SEM和XRD结果表明采用三层叠层 MoM／o／MoNa薄膜做电极的MoNa 容易被氧化 ，电阻率增加 ，采用 四层叠层 Mo／Mo／MoNa／Mo薄膜 电极方式有效降低 电阻率 ，阻止 MoNa被氧化 ．CIGS晶粒较大且 致密。在同一条件下，在不同MoNa／Mo厚度 电极上制备CIGS薄膜 电池，80nnlMoNa厚度上的CIGS薄膜电池效率达 6．54％。 关键词 ：掺钠钼 电极 ；铜铟镓硒 ；效率 ；电阻率 中图分类号：TQ132．2；TQ133．5；TQ132．2；TQ136．3 文献标识码：A 文章编号：1001．4861(2014)12—2753．08 DOI：l0．11862／CJIC．2014．367 ApplicationofNa·DopedM oElectrodesonCopperIndium Gallium Diselenide(CIGS)Thin·Film SolarCells CHENWen-Zhi YEZhi-W ei ZHANGRan ZENGBai—Heng CHENChao ZHANGFeng-Yan (PhotovohaicThinFilmCentralLab，SchoolofEnergy,XiamenUnivers Xiamen，聊 361lOO, 删 ~MateridandPhotoelectricityScienceDepartment，NationalSun—YatSenUniversity,Gaoxiong,Taiwan800042,China) Abstract：AnappropriateconcentrationofNaelementisabletopromotethegrowthofCopperIndium Gallium Diselenide fCIGS)thinfilms．ThispaperismainlyfocusedonthestudyofcharacteristicsofNa—dopedMo electrodesandtheireffectontheperformanceofCIGSthin．film solarcells．Inthiswork．thethin．film CIGSsolar cellswerefbaricatedasfollows：(i)differentthicknessesofMoNMMothinfilmspreparedbymagnetronsputtering wereusedasbackelectrodes； (ii)CIGSthinfilmswereevaporatedonthetopofMoNMMoelectrodes； (iii)the CIGSthinfilmswerepost—processedby selenationprocessusingan elementalSesourceand laterCIGS solar cellswerefinallymade．TheresultsofSEM andXRDrevealthat．forthesolar