氢气流量对金刚石薄膜制备的影响.pdfVIP

加工、测量与设备 Processing，MeasurementandEquipment 氢气流量对金刚石薄膜制备的影响 石双振 ，杨瑞霞 ，康 强 (河北工业大学 信 E-工程学院，天津 300401) 摘要 ：在不同氢气流量下，以丙酮为碳源，采用热丝法化学气相沉积在 P型 (111)单晶硅衬底 上制备 了金刚石薄膜。用金相显微镜、X射线衍射 以及原子力显微镜对金刚石薄膜表面形貌以及 质量进行了表征，结果表明：在氢气流量为 150~200mL／min时，金刚石薄膜择优 (111)晶面 生长，且金刚石颗粒逐渐变大，分布逐渐不均匀，在氢气流量为200mL／min时，甚至出现二次 形核 在氢气流量为200~250mL／min时，金刚石薄膜择优 (100)晶面生长，金刚石颗粒逐渐 变 小 ， 分布逐渐均匀 关键词 ：金刚石薄膜 ；热丝法化学气相沉积 (HFCVD)；表面形貌 ；颗粒尺寸 ；择优生长 中图分类号：TN304．18；TN304．055 文献标识码：A 文章编号：1671—4776 (2014)10-0679-05 EffectoftheHydrogenFlow Rateon thePreparation ofDiamondFilms ShiShuangzhen，YangRuixia，KangQiang (CollegeofInformationEngineering，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300401，China) Abstract：Atdifferenthydrogenflow rates，usingtheacetoneasthecarbonsource，thediamond filmsweredepositedon (111)p-siliconsubstratesbythehotfilamentchemicalvapordeposition (HFCVD)．Thesurfacemorphologyandquality ofthediamondfilmswerecharacterizedbythe metallurgicalmicroscope，X—raydiffractionandatomicforcemicroscopy．Theresultsshow thatat thehydrogenflowratesof150~200mL／min，diamondfilmsgrowwithpreferred(111)一orienta— tion，andthediamondparticlesizeincreasesand thedistribution isgraduallyuneven，even the secondnucleationoccursatthehydrogenflowratesof200mL／min．Atthehydrogenflowrateof 200~250mL／min。thediamondfilmsgrow withpreferred(100)一orientation，andthediamond particlesizedecreasesand thedistributionisgraduallyuniform． Keywords：diamondfilm ；hotfilamentchemicalvapordeposition (HFCVD)；surfacemorpholo— gY；particlesize；preferentialgrowth DoI：10．13250／j．cnki．wndz．2014．10．011 EEACC：2520C；0520F 介电常数 (5．7)、高的击穿电压 (约 10V／cm)、高 0 引 士丘