模拟分析SiH4和N2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜.pdfVIP

第30卷 第9期 贵州师范学院学报 Vo1．30．No．9 2014年9月 JournalofGuizhouNormalCollege Sep．2014 模拟分析 Sill4和 N2O产生等离子体加强化学沉积 制备 SiO2薄膜 陈心园，黄 建，邓 伟 ，王 维，周筑文 (贵州师范学院物理与电子科学学院，贵州 贵阳 550018) 摘要：通过等离子体粒子模拟实验 (PIC)，成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉 积(PECVD)制备SiO 薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分 布。分析这些物理参量，对比Sill 和N20的等离子体加强化学沉积实验 中的化学反应式，模拟实验结果从 动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO 薄膜的实验过程 ，通过这些粒子 模拟实验 (PIC)，从理论上合理地解释 了使用Sill4和N：0形成SiO2薄膜的一些形成机制。 关键词 ：粒子模拟实验；硅炕；笑气；二氧化硅；等离子体加强化学沉积 (PECVD)；SiO2薄膜 中图分类号：053 文献标识码：A 文章编号：1674—7798(2014)09—00075一o5 ParticlesimulationanalysisofSill4andN2O producedplasmaenhanced chemicalvapordeposition(PECVD) CHENXin—yuan，HUANGJian，DENGWei，WangWei，ZHOUZhu—wen (SchoolofPhysicsandElectronicSciences，GuizhouNormalCollege，Guiyang，Guizhou，550018) Abstract：Throughtheplasmaparticlesimulation(PIC)，wesuccessfullysimulatedthesilane(Sill4)andni- trousoxide(N2O)plasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)processforpreparingSiO2thinfilm．The processofsimulationexperimentwasanalyzed，whichwero thekineticenergy，andhtesheaht ofspaceandhteeneryg distributionionsofionization．Analysisofthesephysicalparameters，acomparisonofSill4andN2O plasmaehnanced chemical reactionchemical depositionexperiments，simulationresultsfrom thekineticenergy，eneryg ，na dhtespace eneryg distributionofionsinsheathperspectivesCna explainreasonablytheplasmaehn ancedchemicalvapordepo si- tion(PECVD)processofrpreparingSiO2film，throuhgtheseparticlesimulation(PIC)，fromthehteoryontherea· sonableinterpretationofhteuseofsilaneand nitrousoxidesomefomr ingmechanism oftheformationofSiO2htin ， film． Keywords：particlesimulation；silane ；ni~ousoxide ；silica；plasma ehn anced chemical