光电导地Franz-Keldysh效应研究.pdfVIP

光电导的Franz—Keldysh效应研究 张流强 (重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室，重庆) 1引言 光电导是半导体在光激发下形成的导电现象，因其结构简单、速度快、传导能量大等特点，在光电传 感、高速开关和太赫兹波领域都有重要应用。由于光电导器件常常外加强电场，因此存在电场和光照共同 作用下的量子隧穿效应，即Franz—Keldysh效应。该效应使得半导体的激发光波长向长波方向偏移，也就 是说能量低于禁带宽度的光子也可以将价带电子激发到导带，从而在半导体中产生电子和空穴载流子。因 此，对Franz．Keldysh效应的深入分析，可以为光电导的波长效应和亚阈值激发技术提供理论基础，对新 型光电导器件的研究具有十分重要的意义。 虽然Franz．Keldysh效应已有大量的研究，但早期的研究存在以下问题：l、电子波函数和隧穿概率仅获得 部分解或近似解，只能分析能量低于势垒高度的隧穿情况而不适用于能量高于势垒的飞越情况；2、对于 隧穿的电场效应分析不够，特别是强电场下的峰值电场效应没有相应的物理解释。 本文通过建立合理的物理模型，成功获得整个能量范围的电子波函数和隧穿概率，给出了隧穿概率随光子 能量和电场强度的变化关系，并对强电场下的峰值电场效应进行了合理解释。 2物理模型 在外加电场的作用下， 半导体的能带将发生倾斜，如图1所示。 歉酝 ～…●ItI{i…I’I‘i}■ 酝 图1、半导体在外加电场作用下产生的能带倾斜 能带倾斜的程度与外加电场大小成正比，则能带倾斜的斜率为： —dU—(x)：一P—dr—(x)：P， dx dx 其中U(x)为电子势能，矿(x)为电势分布，F为电场强度的绝对值。假设价带顶为势能零点，对(1)式 积分，可得势函数为： U(x)=Uo+eFx=Eg+eFx(2) 由于能带的倾斜，电子可以通过隧穿效应从价带激发到导带， 该隧穿效应的势垒为(2)式所描述的 三角势垒，如图2所示。 Ⅳ(x)= 图2、电子隧穿效应及三角势垒 假设三角势垒的左边为I区，右边为II区，其分界面处刚好是坐标原点，电子从I区右侧向左入射， 则两个区域的势函数分别为： I区： U(功=0 (3) II区： F： (4) V(x)=Eg+e 在两个区域可分别建立 根据能量守恒原理，电子总能量应等于入射电子的动能，即E=Ek，因此， 电子的定态薛定谔方程如下： I阪．掣dx+等h驯加。区： 2 2 “ ”7 (5) 8 7一’ 一丁d2W2(x)+．2m：*(、E。一Eg一已F扣：(x)：o h2¨ II区：dx2 (6) 3波函数解 在I区，波函数的解为： ■(x)=e一。岛。+Cle啦。 (7) }一42m木Ek 其中1 7i ，Cl为反射波、王，。+@)=P嵋。的复振幅，为简化计算，已假设入射波tPl一(x)=P一嵋。的 幅值为1。 为两个部分，因而获得的波函数是一个分段连续的函数，这样的波函数并不能适用于整个能量范围。 ………唯一龇…舳椐假设妒(字]l，3，m”砌， 掣一胛(x)：o、7 dX2 (8) 在整个实数域，A时方程的两个独立解分别为彳