模拟电路 教学课件 作者 张丽华第1章 ch01.ppt

1.1 半导体基本知识 1.1.1 本征半导体　　 1.1.2 杂质半导体　　 1.1.3 PN结及其特性 1.1 半导体基本知识 自然界中的物质根据其导电能力的不同分为导体、半导体和绝缘体。 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。典型的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)，以及砷化镓(GaAs)等。 半导体具有一些独特的物理特性，利用这些特性可制成电子电路需要的各种不同性能、不同用途的半导体器件。例如二极管、双极型晶体管、场效应晶体管等。 图1.1和图1.2展示了电子电路中一些常用半导体二极管和半导体晶体管的照片。 1.本征半导体的定义 本征半导体是化学成分纯净、物理结构完整的半导体。 2.本征半导体的共价键结构 半导体材料硅和锗的原子结构有一个共同点,即都是四价元素,其原子的最外层电子数都是4个，原子的最外层电子称为价电子,如图1.3（a）(b)所示。 半导体的导电性能与价电子有关，因此，价电子是我们要研究的对象。原子的内层电子与原子核构成稳定的惯性核，我们用+4代表惯性核所具有的电荷量，用图1.3（c）表示硅或锗的简化原子结构模型。 硅或锗制成单晶体后，由于晶体中原子之间距离很近，价电子不仅受到其所属原子核的作用，还受到相邻原子的原子核的吸引，即一个价电子为相邻的两个原子核所共有。这样，相邻原子之间通过共有价电子的形式而紧密结合起来，形成“共价键”结构，如图1.4所示。 本征半导体晶体原子间的共价键具有很强的结合力，在绝对零度(-237℃)时，并且在无外界激发的条件下，价电子无法挣脱共价键的束缚，不能自由移动，所以共价键内的价电子又叫束缚电子，这样虽然有大量的价电子，但没有自由电子，此时，半导体不导电。 3.本征激发与复合 当半导体温度上升或受光照时，价电子以热运动的形式不断从外界获得一定的能量，使价电子能量增高，有的价电子就可以挣脱共价键的束缚跑出来，成为自由电子，同时在原来的共价键的相应位置上留下一个空位，叫“空穴”，如图1.5所示。 空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 显然,自由电子和空穴是成对出现的，所以称它们为电 子—空穴对。 我们把在光或热的作用下，本征半导体中产生电子— 空穴对的现象，叫本征激发。 在热运动过程中自由电子和空穴又可能重新相遇结合 使电子—空穴对消失，这一现象称为复合。 本征激发和复合总是存在、同时进行的，在一定温度 下会达到动态平衡。 4.本征半导体的导电机理 我们将可以运动的带电粒子称为载流子。本征激发产生的自由电子将在电场的作用下定向运动形成电流，因此它构成本征半导体中的一种载流子——电子载流子。 由于共价键中出现了空位，在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子就可以填补到这个空穴上，而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他价电子又可以转移到这个新的空位上，如图1.6所示。 为了区别于自由电子的运动，我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动，因此认为空穴也是一种载流子，它所带电荷和电子相等，符号相反。 由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子——电子。本征半导体在外电场作用下，两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。由于本征激发产生的电子—空穴对的数目很少，因此本征半导体的导电能力很弱。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素，可使半导体的导电性能发生显著的改变。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 1.N型半导体 在硅（或锗）的晶体内掺入少量五价杂质元素，例如磷，可形成N型半导体。如图1.7所示。 在N型半导体中自由电子数远大于空穴数，自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。导电以电子为主，故此类半导体亦称为电子型半导体。 2.P型半导体 在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价杂质元素，如硼、镓、铟等，可形成P型半导体。 P型半导体中空穴是多数载流子，其数量主要由掺杂的浓度确定，电子是少数载流子，由热激发形成。因为这种半导体的导电主要依靠空穴，所以也称其为空穴型半导体。P型半导体的结构示意图如图1.8所示。 由于三价杂质原子能获得一个价电子而带负电荷，成为负离子，因此三价杂质原子也称为受主杂质。 注意：N型、P型半导体中的正负电荷数是相等的，它们的作用互相