表面处理技术概论 教学课件 作者 刘光明 主编 第五章 气相沉积技术.pptVIP

尚辅网 尚辅网 气相沉积技术是通过气相材料或使材料气化后沉积于固体材料或制品(基片)表面并形成薄膜，从而使基片获得特殊表面性能的一种新技术。近40年来，气相沉积技术发展迅速，已在现代工业中得到广泛应用并展示了更为广阔的发展和应用前景。 目 录 5.1 物理气相沉积 5.2 化学气相沉积技术 5.3 气相沉积技术制备薄膜 思考题 5.1 物理气相沉积 5.1.1 真空蒸发沉积 5.1.2 电阻蒸发沉积 5.1.3 电子束蒸发沉积 5.1.4 溅射沉积 5.1.5 离子镀 5.1.6 外延沉积（生长）离子镀 5.1 物理气相沉积 物理气相沉积是一种物理气相反应为生长法，是利用某种物理过程，在低气压或真空等离子体放电条件下，发生物质的热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从物质缘在基体表面生长与基体性能明显不同薄膜（涂层）的人为特定目的物质转移过程。 物理气相沉积过程可概括为三个阶段： ①从源材料中发射出粒子； ②粒子输运到基片； ③粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。 物理气相沉积技术的主要特点如下 : （1）沉积层需要使用固态的或者熔融态的物质作为沉积过程的源物质，采用各种加热源或溅射源使固态物质变为原子态； （2）源物质经过物理过程而进入气相, 在气相中及在基材表面并不发生化学反应； （3）需要相对较低的气体压力环境下沉积，沉积层质量较高； （4）物理气相沉积获得的沉积层较薄，厚度范围通常为纳米微米数量级，属于薄膜范畴。因此，物理气相沉积技术通常又称为薄膜技术，是其它表面覆层技术所无法比拟的； （5）多数沉积层是在低温等离子体条件下获得的，沉积层粒子被电离、激发成离子、高能中性原子，使得沉积层的组织致密，与基材具有很好的结合力，不易脱离； （6）沉积层薄，通过对沉积参数的控制，容易生长出单晶、多晶、非晶、多层、纳米层结构的功能薄膜； （7）由于物理气相沉积是在真空条件下进行的，没有有害废气排出，属于无空气污染技术； （8）物理气相沉积多是在辉光放电、弧光放电等低温等离子体条件下进行的，沉积层粒子的整体活性很大，容易与反应气体进行化合反应。可以在较低温度下获得各种功能薄膜，同时，基材选用范围很广，如可以是金属、陶瓷、玻璃或塑料等。 5.1.1 真空蒸发沉积 真空蒸发沉积薄膜具有简单便利、操作容易、成膜速率快、效率高等特点，是薄膜制备中最为常用的方法之一。 这一技术的缺点是形成的薄膜与基片结合较差，工艺重复性不好。 在真空蒸发技术中，人们只需要产生一个真空环境。在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，这样即可实现真空蒸发薄膜沉积。 大量材料皆可以在真空中蒸发，最终在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积过程由三个步骤组成： ①蒸发源材料由凝聚相转变成气相； ②在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运； ③蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。 基片可以选用各种材料，根据所需的薄膜性质基片可以保持在某一温度下。当蒸发在真空中开始时，蒸发温度会降低很多，对于正常蒸发所使用的压强一般为1.33×10-3Pa，这一压强能确保大多数发射出的蒸发粒子具有直线运动轨迹。基片与蒸发源的距离一般保持在10～50cm之间。 真空蒸发沉积的设备一般由沉积膜室、抽真空系统、蒸发源、基材支架、基材加热系统和轰击电极以及蒸发电源、加热电源、轰击电源、进气系统等。 在真空中为了蒸发待沉积的材料，需要容器来支撑或盛装蒸发物，同时需要提供 蒸发热使蒸发物达到足够高的温度以产生所需的蒸气压。 通常所用的支撑材料为难 熔金属和氧化物。当选择某一特殊支撑材料时，一定要考虑蒸发物与支撑材料之间可能发生的合金化和化学反应等问题。支撑材料的形状则主要取决于蒸发物。 重要的蒸发方法有电阻加热蒸发、闪烁蒸发、电子束蒸发、激光熔融蒸发、弧光 蒸发、射频加热蒸发等。 5.1.2 电阻蒸发沉积 常用的电阻加热蒸发法是将待蒸发材料放置在电阻加热装置中，通过电路中的电阻加热给待沉积材料提供蒸发热使其汽化。在这一方法中，经常使用的支撑加热材料是难熔金属钨、铊、钼，这些金屑皆具有高熔点、低蒸气压的特点。支撑加热材料一般采用丝状或箔片形状，如图3－2所示。 电阻蒸发沉积的缺点： ①加热所能达到最高温度有限，加热器的寿命也较短。 ②坩埚的成本高 ③蒸发率低； ④加热时合金或化合物会分解 5.1.3 电子束蒸发沉积 由于与盛装待蒸发材料的坩埚相接触的蒸发材料在整个蒸发沉积过程保持固体状态不变，这样就使待蒸发材料与坩埚发生反应的可能性减少到最低。直接采用电子束加热使水冷坩埚中的材料蒸发是电子束蒸发中常用的方法。 通过水冷，可以避免蒸发材料与坩埚壁的反应，由此即可制备高纯度的薄膜。通过电子束加热，任何材料都可以