InN的光学性质研究.pdfVIP

膏十一_士■化●●J-，■．ttI舯先电-件拳木●曩 InN的光学性质研究 孙苋‘，王辉，王莉莉，江德生，杨辉 (中国科学院半导体研究所集成光电子田家重点实验室北京100083) 及光致发光(PL=帕咖抽Ⅲi皿帕锄唧谐的测量．并对PL缝型进行分析，得到hN的带障大建在0．7cV左右．发现吸收边以及PL昔 的峰值能量都碴载流于浓度的增加而蓝移． 关键词一InN．MOCVD。暇收谱，PL．Hm 引言 h】N是Ⅲ族氮化物中的重要一员，是直接带隙半导体。其禁带宽度一直有争论，目前的 beam 膜的基本吸收边在1．89eV。随着MBE(moleculax chemical vapor 溉射中氧杂质的引入，当氧的含量达到20％的时候InN的带隙接近2eV。因为通过吸收曲线 确定带宽所使用的方法不一样。而且PL发光峰的峰值并不是准确的带宽位置，所以InN的带 宽到现在还没有得到确切值。 行分析。分析得到的InN的带隙大致在0．7eV左右。发现吸收边以及PL谱的峰值能量都随载 流子浓度的增加而蓝移。 de 层的生长温度45032-500C，其电学性质由VanPauw方法测量Hall系数得到，电子迁移 FTIR 用的仪器为Nicolet 760型傅立叶变换光谱仪，使用的激发光源为He-Ne Laser(6328A)， 激发光功率为10roW,测试温度为10K。测量吸收谱的仪器与测量PL所用仪器相同，光源为 碘钨灯(o．6一Sgm)，在室温下进行测量。傅立叶变换光谱仪中，选用CaF2作分光板，ksb探测 器来探测InN的光信号。 结果以及讨论 ■十口_I■％●-+●#．tt-■-■￡，t■_●$●“ 吸收谱： 测量InN的透射率口)谱，利用以下公式计算吸收谱。 口：一堕+c 口=一一十o d 其中d为薄膜厚度，ot是吸收系数．C为常数，T为透射率。非故意掺杂的InN的载流子 浓度也很高，在10is～10”cm-3数量级。重掺杂情况下，电子气是简并态的，EF深入导带。在 低温时，EF以下基本上所有的导带态都已经被电子填满。光入射到重掺杂半导体上，其吸收 过程只能在价带态和EF附近及以上的导带空态之间发生16J。所以测量InN的吸收谱得到的能 B-M效应或B．M漂移)，见图10)。所以载流子浓度越大，电子费米能级就越深入导带，EF 也就越大。 对应于直接允许跃迁ui，在抛物线型能带情况下．吸收系数有如下的表达式 口(∞)oo去(肌硝2 所以我们选用扩Et也作图来确定带边。对于hlN的Ⅸ2E2～E作图法，其吸收区在横轴上的截距 为Eab5-E川F。因一个电子从价带跃迁到导带引起的吸收其吸收系数在104～105cm1，所以取 104 之间。因实验上测到的吸收谱的a2E2~E曲线(如图2)的线性关系不好，这就给精确测量InN的 吸收边带来不便。吸收边不陡峭的原因有带尾的影响，同时也可能有薄膜表面较粗糙的影响。 低温PL谱： 附近没有发现PL峰。由光致发光的原理以及InN的简并特性，得到如图l(b)所示的发光过程 能带图。由图2可以看到，PL峰是不对称的，且以峰值为界可分为较陡的高能翼以及较缓的 低能翼。因为InN薄膜材料是简并的，所以其电子态应服从费米一狄拉克分布， ，仁)= 这一点在PL峰的高能翼表现得很明显。如果InN的发光主要是导带到受主态的跃迁嗍引 起的，则低能翼的起始边缘可能对应于价带带尾的发光。价带上方的受主能级或带尾态能量 用EA表示。如图l(b)所示，与光吸收过程遵守k守恒定则不同，发光过程中电子和受主施主 中心的散射破坏了k守恒定则。 用B-M移动引起的吸收边的增加(即高出带边的EP)和载流子浓度的关系为： 耳 = 矿 =