低束流下离子束溅射沉积Si薄膜的Raman光谱研究.pdfVIP

_旦6土一 丝 丝 丝 塾 !!塑!堂型!!!!鲞 低束流下离子束溅射沉积Si薄膜的Raman光谱研究‘ 宋超，杨瑞东，俞帆，杨 宇 (云南大学材料科学与工程系，云南昆明650091) 摘要： 在温度为400℃下，采用离子束溅射技术在 本底真空度优于4．0×IO～Pa。 Si(100)衬底上沉积Si薄膜。利用Raman光谱对不同 束流下生长的si薄膜进行分析。结果表明：随着生长 薄膜生长的村底。溅射前，si衬底先后经过丙酮、酒精 束流的减小，si薄膜由非晶向多晶转变；在束流为 6mA时，得到了结晶较好的si外延薄膜。 HF：HzO溶液中漂洗20～30s左右去除自然氧化层， 关键词：Si薄膜；离子柬溅射；束流；Raman散射 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 型超高真空多靶磁控与离子束联合溅射设备的离子束 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0362—03 溅射生长室内。生长过程中溅射室的真空度为2．0× 1 引 言 不同的束流来生长薄膜材料。生长过程分别选取束流 上世纪60年代人们就已经开展了硅薄膜外延技 为10、8、6、4mA。种情况生长薄膜材料，对应的薄膜厚 术的研究，随着硅外延生长研究的进一步成熟，常规的 硅外延工业主要有分子束外延技术[1”3(MBE)、化学 气相沉积[4“3(CVD)、离子束外延(IBE)和局部离子真 maD．测量，标记为5 s o样品；在18样品的生长条件(束 空沉积(PIVD)等。B Meyerson等”3用超高真空 cVD在550℃下生长了具有较大溅射速率的Si外延 层；谢自力等”3在700℃下用极低压化学气相沉积方68样品。 法(VLP／CVD)成功研制出晶格结构完好的硅同质结本实验中，厚度的测量是在美国加州生产的AM— Bios 外延材料；MBE作为一种最重要的以原子级方式生长 technologyXP-2型台阶仪上进行的，仪器的最小 薄膜材料的技术，使si晶体薄膜能在500℃下沉积出分辨率为lnm。Raman测量是在英国雷尼绍公司生 来口j，但这些设备比较昂贵和生产成本高，不利于大规 产的inVia共焦型拉曼谱仪中进行，测量时采用背向 模生产。Feng等Ei03采用溅射方法对si薄膜材料的同 质外延进行了研究，但目前对溅射技术能否外延Si晶 作激发源测量，入射到样品上的功率为20mW，曝光时 体材料尚在探索阶段。离子束溅射方法具有操作简 间60s，测量系统为CCD电荷耦合器件，分辨率为 单、易于掌控、生产成本低等特点，可分别从生长温度、 icm～，测量范围为100～600cm～。 束流和溅射离子的能量等方面对薄膜的生长进行控 制。在薄膜的外延过程中，生长束流的变化会直接影 3实验结果及讨论 响生长速率的快慢，也会引起薄膜中原子排列结构的 图1是不同束流下生长的18、28、38、48样品的 改变和材料的结晶性变化。 Raman图，为了便于比较，将单晶si衬底5。样品的 本文在较低温度400℃下，用超高真空离子束溅 Raman图也附上。从图中看出，18和28样品的谱图 射技术生长了si薄膜。用Raman光谱对不同束流下 显示了3个较明显的峰形，峰位分别位于100～ 生长的si薄膜进行了表征，研究了束流的变化对Si