磁盘基板用Li2O-SiO2-P2O5-Y2O3系统微晶玻璃研究.pdfVIP

2003年十一省(市)光学学术会议论文集 i 磁盘基板用Li：O-S 02-p：0。-y：0。系统微晶玻璃研究 詹祖盛黄少林曹幼呜 湖北新华光信息材料股份有限公司，湖北襄樊，441406 显微镜、X-射线衍射、机械性能测试等手段分析了在该系统微晶玻璃中引入Y203对微晶玻璃的机械性能、析晶等 降低玻璃的熔制温度及有利于控制玻璃的折晶的结论。 关键词微晶玻璃，Y203．Li20．2Si02，机械性能 近几年来，由于磁头和磁记忆膜技术的发展，计算机硬盘的纪录密度水平达到了100(3／英寸2，市售 硬盘转速已达到10000转／分钟，相应地要求盘基具有更高的强度、更光滑的表面、及与高密度记忆膜 更相匹配的膨胀系数及其他物理化学参数。 微品玻璃基板因为其优良的加工性能，与新型高密度磁记忆材料良好的性能匹配，较好的刚性及抗 弯强度，有望逐步取代现有的铝合金基板及化学强化玻璃基板，目前做的较为成功的是日本OHARA公 司的Li20．si02．P205系统微晶玻璃，但存在的问题是： a．现有的加工性能较好的微晶玻璃的抗弯强度还不能完全满足新型硬盘的需要： b．玻璃的熔制温度较高，熔炼和成型工艺性能较差，导致成本较高。 针对上述问题，我们系统地研究了Lizo．SiQ—Pzos-y：0。系统微晶玻璃，实验及分析如下。 1．玻璃性能的理论估算 对微晶玻璃我们模型化为晶相和残余玻璃相两部分，对Li21)．Si0¨-蹦卜Y她系统微晶玻璃我们预计主晶 um为好lI—J，因而，控制微晶玻璃性能的关键是 相为Li20．2S102，根据有关文献，晶粒大小控制为0．1～l 控制其残余玻璃相的组成及性能。在实验之前，我们对引入Y舢后对残余玻璃相的影响进行了理论估算， 最下面一栏是与Li20．2Si02计算值的比较，表中的膨胀系数和弹性模量为残余玻璃相的膨胀系数和弹性模 量计算值，结果以m01％表示，见表l。 表l残余玻璃相酌膨胀系数及弹性模量估算 从表l的计算结果可以看出，引 序号 Li20 Y203膨胀系数(×lo．7，℃)弹性模量(105kg／cm2) 入Y203后可以明显的提高残余玻璃相 l 20 3 48．703 9．032 2 23 3 56．888 9．177 的弹性模量，由于微晶玻璃的弹性模 3 26 3 67．123 9．369 量具有加和性141，因而也能从整体上提 4 29 3 79．074 9．673 高微晶玻璃的弹性模量，从而为我们 5 20 3 74．267 8．24l 提高微晶玻璃的强度提供了理论依 6 23 3 77．395 8．543 7 26 3 81．153 8．935 据。我们的试验在上述范围内进行。 8 29 3 84．513 9．504 9 3l 3 88．438 10．059 10 20 66．609 8．085 2．实验及测试 ll 29 107．7S 8．238 12 llO