GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究.pdfVIP

I Gan^ssb红外探测器的硫钝化机制研究+ 李志怀夏冠群程宗权伍滨和黄文奎 中重辩学院上蠢t累麓与信息技术研究所，—匕海．姗，o 攮叠，通过对(NH猫磕饨‘匕后QlbI^|sh样品的^船和Ⅺ咚分析．s肘硅小●件衰面复含曩虞、摄膏曩件性睫岛主-作用 饨亿后撵一●的电掌性蠢和蠢—事有较大量膏。■擅摄一事达捌1．oxl01．酬Ⅶ． 辅氰㈣删≈臌t’ 《 1．引言 四元Gah舢Sb合金是用于中红外的重要材料，随组分变化工作波段可在1．¨．3微米 之间选择【删，由于Gl血A5Sb探测器可在室温下工作，有较高的探测宰和量子效率，较快 Bowersf3研制出第一个G曩hl缸sb光电=极管之后，一直为人们所 的反应速度，所以在J．E 和表面复合速度阻碍了探铡嚣性能的进一步提高和应用川。O珊j)2sI处理可以改善G幽嗍、 IaGaP、AlGaAs【日等的表面性能，但钝化后材料和器件的表面特性会发生退化．作者所在 项目组采用(NH)2Sx对GahAsSb探测器进行钝化处理，使探测饕暗电流特性大大改善n。 本文对GalBAsSb外延片和器件的硫钝化傲了进一步研究，对钝化后的外延片进行了A鹄∞ 可以减小表面复合，同时S原子又与更表面的S原子形成S．S键，钝化后的外延片表面形 成硫单质，钝化效果稳定。 2．实验方法 用四氯化碳、丙酮、酒精超声清洗10分钟，两次．然后将样品放在HCI：H20(hlO)的水 ·曩熹自篇辩掌基金蠢助项目，墓盘号 ·521· 溶液中浸泡1分钟，除去表面氧化物．再将样品放在6铲C的删H也S水溶液(o哪也S：H4)=l：4) 中浸泡60分钟，取出后氮气吹干． 3．结果与讨论 把钝化后的外延片测量了AUS谱和XPS谱．G|妇舡Sb外延片钝化前后的AES结果分 别如图2、3所示。由AES分析结果知，钝化后硫原子在样品表面浓度较高，l癌着深度增 加，硫原子浓度逐渐减小，深度为3$nm时，硫原子浓度为表面的8．3％；钝化后在样品表 面有比较高的氟原子浓度，氧原子浓度随深度增加逐步减小，说明用钟巩)2S水溶液对 GalnAsSb外延片钝化时在样品中会引入氧原子。 圈2Gl血As踮井嚣片钝化前的^酷结果 圈3Gl曲Assb外延片钝化后的^Es结果 图5钝化后Oaln墒外延片的sb3dⅪ咚谱 圈4钝化后Oa．b山qSb外鹾片的S2pZ3，s谱 图4、圈5分别是Galn^·sb外廷片的S ls芯能级峰 2p芯能级谱和轴3d芯能级谱．C 表面首先与Ga、Sb形成％a、s_sb键，同时S原予又与更表面的S原予形成S．S键，所 ·522· 以钝化后的外延片表面形成硫单赝(Sl或sⅡ)F1．这样在硫钝化后，有效地消除了GalaAsSb 表面悬挂键，减小了表面态，从而使表面复合速度减小． 硫钝化后G舳鼬探测器的性能有了明显的提高，暗电流在-0．1V时，由62”降到 性能稳定，90天后没有观察到退化的情况。说明碱钝化对Ga：lnA,Sb是比较有效的一种钝 化方法。 4．结论 面首先与Ga、sb形成S．Ga、s-sb链，因而可以减小表面复合，同时S原予又与更表面的 S原子形成S．S链，钝化后的外延片表面形成硫单质，钝化效果稳定。 参考文献 and 【11T．H．Chiu,J．L．ZyskindW．TTsang．J．ElectronMater．1986，16(1)：57． I 【2】：W．T．Tsm致Tl置Ch／u,D．WX蛾ete1．A羽Phys蛾1984,460)：283． a1