PLD法制备PZT-YBCO结构的铁电薄膜地研究.pdfVIP

PLD 法制备PZT-YBCO 结构的铁电薄膜的研究 1 2 1 吴 平 彭润玲 符 欣 1 2 南京航空航天大学理学院，210016 ， 上海理工大学光电学院，200093 摘要：本文利用脉冲准分子激光在LaAlO3 单晶基片上淀积了YBCO 和Zr/Ti 为94/6 的PZT 铁电薄膜，并通过高频溅射将Pt 蒸镀在PZT 薄膜上作为上电极；用X 射线衍射表征了该多 层膜的晶相结构，测量了PZT 的铁电性能和介电特性，讨论了PZT/YBCO 薄膜的制备工艺， 以及工艺条件对晶相结构和薄膜性能的影响。 ABSTRACT: This paper reported the methods for fabricating highly oriented Pb(Zr0.94Ti0.06)O3 (PZT) thin films on YBa Cu O （YBCO ）thin films by the pulsed laser deposition (PLD). In this 2 3 7-δ work, YBCO thin films were deposited on LaAlO3 (LAO) underlayers by PLD and Pt was sputtered as electrodes by rf-sputtering method. The processes of the films for PZT and YBCO were discussed. The X-ray diffraction (XRD) pattern showed that the PZT films possessed the perovskite structure and the remarkable 00k orientation. The polarization-voltage (P-V) characteristic of the PZT thin films were measured by the ferroelectric hysteresis loop. 关键词: PZT 薄膜，YBCO 薄膜，激光脉冲淀积，铁电薄膜，X 射线衍射， 钙钛矿型结构的锆钛酸铅——Pb(ZrxTi1-x)O3 （PZT ）系列铁电材料，由于具有优良的铁 电、压电、热释电和电光等性能，而且通过掺杂或改变PZT 材料中Zr ∕Ti 化学计量比，可 以改善其性能，因而广泛应用于高速非挥发性存储器、红外探测器、热成像、光开关、光调 制器、声表面波器件等。 近十年来，随着薄膜技术的发展，PZT 薄膜的性能和应用的研究得到快速发展，特别 是其非致冷、易于与半导体技术集成的特点，从而成为微传感器和 MEMS （Micro Electro [1,2] ，因而受到了人们的广泛重视，其制备和应 Mechanical System ）器件的极具潜力的材料 用研究是国际集成铁电学研究的热点之一，并在薄膜基底材料、制膜技术等方面的研究上取 得了较大的进展。现在铁电薄膜器件使用的底电极材料大都为贵金属（如Au ，Ag ，Pt 等）， 如采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)工艺制备的PZT ∕Ir ∕SiO2 ∕Si [3] ，采用溅射淀积 的PZT ∕Pt ∕Ti ∕SiO2 ∕Si[4] ，使用脉冲激光淀积（PLD ）技术制备的Au ∕PZT ∕Pt [5] 。使 用贵金属为底电极材料的主要优点是能抗高温氧化，电阻率小，与大规模集成电路相容好。 但是它们的主要缺点是铁电薄膜既不能外延生长在金属薄膜上，也生长不出单晶结构的铁电 薄膜，铁电薄膜的多晶结构对薄膜器件的性能有极坏的影响。研究表明，电极材料应满足以 下要求[6] ：（1）与铁电薄膜有良好的晶格匹配和化学相容；（2 ）与铁电薄膜有相似的热膨胀 系数；（3 ）有优良的导电性；（4 ）小的界面电容等。R ．Ramesh[7]等率先提出使用铜氧化合 物高温超导薄膜作底电极材料，通过铁电薄膜外延生长在晶格匹配的超导薄膜上，促使单晶 铁电薄膜的生