不同紫外光照强度下氮化镓光导器件响应时间地研究.pdfVIP

不同紫外光照强度下氮化镓光导器件响应时间的研究 许金通 汤英文 李向阳 龚海梅 (中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室 上海 200083) 赵德剐 (中科院半导体所 北京 100083) 摘要：本文研究了氮化镓光电导器件中的持续光电导现象，并利用变化调制频率的方法测量 ，了在不同紫外光照强度下的光电导响应时问．实验发现，器件的响应时间随光强有明显的变化．从 深受主俘获的观点出发，对这一结果作了初步解释． 关键词：氮化镓；深能级：持续光电导；响应时间 1．弓l言 ⅡI．V族氮化物材料近年来受到越来越多的关注，特别是在制作出实用化的蓝光二极管，成功的 P型掺杂和P型欧姆接触等一系列重大进展之后。但是，仍然还有很多难题需要突破，特别是ⅡI．V 族化合物光导器件普遍存在着持续光电导现象，以前一般认为这是ⅡI．V族化合物材料中存在着深能 级俘获中心，对于深能级的来源并没有统一的认识。大部分文献都把氮化镓中的探能级与氮化镓光 致发光(PL)谱测试中普遍观察到的黄光带联系在一起．黄光带一般对应于导带以下2．2～2．4eV， 并且一般认为这与氮化镓材料的本征缺陷有关，对于本征材料(弱n型)大多数认为与材料中的镓 空位或镓空位与其它缺陷或杂质形成的复合体有关。以前人们大多是从PL谱、光电流响应光谱、持 续光电导测试等方面来研究分析，而对于光电导的响应时问则较少关注，我们在实验中发现响应时 间也是反映光电导器件特征的一个参数，并且它与其它半导体光电器件有着明显不同。表现在不同 的紫外光照强度下其响应时间有明显的不同。我们把这个现象归结为深受主俘获中心对光生空穴的 捕获引起的，并从理论上进行了初步分析． 2．实验与理论分析 材料采用800／0制备，蓝宝石衬底．是本征材料(弱n型)，光导器件的光敏面是0．6舢×O．6m． 用铟金做欧姆接触，I-v测试表明欧姆接触良好，器件的电阻大约在2K．Q左右，光电导测试表明英 光电流是暗电流的lo％左右．紫外光源采用xe灯，经过一个光栅单色仪后用一个凸透镜会聚，照射 到光敏面上。光导器件封装在一个杜瓦瓶上。测试持续光电导时。用SourceMeter2400给器件加上 一个5．0000伏的偏压，并用IEEE 488卡通过一个Labview程序实时采集数据。结果如图l所示。 ●…_- t10 图1室温下Ⅱ型氮化镓光电导器件的光响应曲线(可以看出明显的持续光电导效应) 从图l可以看出光照开始时光电流迅速增加，而后缓慢达到一个最大值；停止光照后．起初光 电流急速减小，但减小的速度越来越慢，并持续103-104s的很长的一段时间，显示出典型的持续光 扩展指数口是0．20597． 以下研究不同紫外光照强度下光电导器件的响虚时间．实验中采用的光导器件与上面是同一个 器件。测试如图2所示． ． 图2光导器件响应时间测试示意图 器件上所加偏压为直流1．5v，紫外光经过单色仪后被一个调制盘调制，光导器件上的小交流信 号通过并联一个1000p,F的电容和一个30Q的电阻取出，取出的信号通过一个电压放大器进行放大， 最终被一个可存储示波器显示并存储。示波器上得到的信号通过傅里叶变换后(目的是去除50Hz 的交流电噪声和其它的白噪声)得到的信号峰值位置很好地与调制盘的频率相一致。最后通过公式 o，n、／ pl进行拟合，图3是当调制盘的调制频率为70Hz时示波器上的信号． s∽=吼”7f-石：-、2 彗 41tW㈧… -_囊·_7靴曾；t．t贵_*-， 图3调制频率为70Hz，放大倍数为50倍时示波器上所得的信号 在实验中