TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性来源地研究.pdfVIP

TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性来源的研究 黄致新“2，李佐益2 1华中师范大学物理系， 武汉，430079，—zxhuanK④,p—hy．ccnu．edu．cn 2华中科技大学电子科学与技术系，武汉，430074 一、 引言 Recording) 由于稀土——过渡金属(RE-IM)非晶薄膜在磁光…(MO)及混合磁记录“1(Hybrid 方面有着极其重要的应用，使之成为物理科学与磁记录技术方面的研究重点”“’。通常这类薄膜都具 有易磁化轴垂直于面内的单轴磁各向异性。为了研究这一磁各向异性的产生机制，科学家们对这类 薄膜进行了广泛的研究，并提出了一系列的模型”“1。但由于稀土元素性质的差异，到目前为止尚没 有一个完整统一的模型。为了确定重稀土——过渡金属非晶薄膜垂直磁各向异性的来源，我们采用 磁控溅射法制备了带有金属cr底层和不带有金属cr底层的TbCo非晶垂直磁化膜，并将在一系列实 验事实的基础上对TbCo非晶磁化膜磁各向异性的来源进行讨论研究。 二、 实验结果与理论分析 采用磁控溅射复合靶的方法在基片水冷的情况下将TbCo薄膜溅射沉积到玻璃基片上。复合靶成 分的调节是靠调整Co靶上所放置的Tb片数目来实现的。为了保证TbCo薄膜不易氧化和磨损，表面 压保持在4mTorr不变。薄膜内各层的厚度靠溅射时间来控制。溅射成膜后，分别采用x射线衍射谱 (EDAX)分析结果表明，在上述条件下所制备得的样品磁性层的成分为Tb。。co。。。采用振动样品磁强 计(VSM)和磁转矩测量仪分析测量样品的磁性能。 面衍射峰以外，没有TbCo的衍射峰存在。由此可以认为溅射法所制备的TbCo薄膜是非晶态。 ·羊{亍千《耢自 ， 写 歹 曼 } i ： ■。， ，—沪 图ITbCo／Cr样品的X射线衍射谱 图2Si02／TbCo／Cr样品的磁滞回线 图2是采用振动样品磁强计(VSM)分别所测得的磁场平行于样品表面及磁场垂直于样品表面时 膜具有良好的垂直磁各向异性。 图4 图3Si02／TbCo／Cr和SiCh／TbCoSi02／TbCo／Cr薄膜横截面 薄膜的磁转矩曲线 的形貌图 图3是采用磁转矩测量仪所测得的带有金属Cr底层和不带有金属cr底层的TbCo薄膜的磁转矩 曲线。从图中可以看出金属cr底层的存在可以增强其垂直磁各向异性。图4是采用SEM所观察到的 晶薄膜中存在着柱状结构。对于不带有金属cr底层的TbCo样品，采用SEM观察并没有发现很明 显的柱状结构。 一般来说，非晶磁性薄膜的磁各向异性来源于以下几个方面【”：(1)与离子或原子的自旋—— 轨道耦合相互作用相关联的磁各向异性，其中包括离子电荷的非球对称分布与晶场的库仑相互作用， 以及因离子的波函数交叠而产生的交换耦合各向异性：(2)与磁偶极相互作用相关联的磁各向异性， 如成膜过程中当原子不是各向同性方向排列时就会产生所谓的原子对效应；(3)与磁致伸缩 (magnetostriction)相关联的磁各向异性，它主要由成膜过程中膜内应力产生。 在溅射成膜过程中，由于从靶上溅射下来的高速运动的原子沿膜面方向挤入膜面内的孔洞内 effect)，邻近的原子壳层将发生弹性畸变，膜面方向原子壳层的弹性畸变将会导致膜内垂