In%3aFe%3aLiNbO3晶体全息关联存储地研究.pdfVIP

In：Fe：LiNb03晶体全息关联存储的研究+ 甄西合 赵连城 赵业权 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 摘要在LiNbO，晶体中掺八同时掺八田定琅度(n∞w㈣的Fe舢和不同农度的In20柙．5r∞】‰ I枷】％和ljmoJ嘲，分别生长h(1moJ唧：Fc：LiNbq，I乃(2|，，oJ％)Fe：LjNbq和In(3m棚句：凡：工』Nb岛 晶体．曩{试晶体的红外光谱，研完晶俸的结构；洲甚晶体的拉相共轭反射率．以Ir邸moI％)：Fc：L№ 晶体砟为存储元件．旺m(Imof％)：Fc：LlNb吗晶体柱相共轭钝作为闲值反馈系统，实现奎甚关联存 储． 关键词：h：Fe：LiNb01晶体；奎忠关联存储：缸外光谱 图书分娄号：0734 在光折变晶体中折射率的光致空间变化是在 光折变晶体中进行全息存储的基本机制。光折变 放出的氧气，使埋在其中的ln：Fe：LiNb如晶片氧 晶体具有高分辨率、高衍射效率、高存储容量、 空位色心浓度降低，460~500m处的吸收峰减弱。 多重存储以及可擦除性等优点．近年来，改进光 将晶片埋在Li2C03粉末中，升温判500℃并恒温 折变材料存储性能的方法是在光折变介质中掺入 24小时。晶片在Lbc03粉末中的氧化还原反应 新的杂质原子以控制光折变材料中的载流子浓 为瑚： 度。Li卜m03晶体的光折变效应很差，在L州b03 ， LkNbq—竺IH+N罐+蠕+；oⅫ+3“+i) 晶体中掺入Fe2侥生长的Fe：LiNb03晶体是全息 ‘ 存储的首选材料IlJ，它的纪录保存时间长。衍射 反应结果氧空位v。’+e’浓度增大，表现在吸收光 效率商，但是其响应时间长，并且抗光致散射能 谱上，就是使460~500m处的吸收峰增强，吸收 边红移。经过上述氧化还原处理的ln：Fe：LiNb03 力差硝。在Fe：LjNbo]晶体中掺入lIl20，生长的 In：Fe：LINb吼晶体，它的响应速度和抗光致散射晶片不仅内部的本征缺陷浓度发生了变化．其中 能力皆比Fe：LiNb如晶体高出～个数量级以上。铁离子的氧化态也受到影响，发生了电子转移反 应。 In：Fe：LiNbn晶体是全息关联存储的优良晶体材 科。 l实验和实验结果 由于有水蒸汽的存在，氧化物晶体在生长过 程中都会或多或少的溶入氢，以0盯形式存在与 1．1红外光谱实验 晶体中。测试晶体的红外光谱中oHl殴收峰的位 采用提拉法生长JD(1moj％)：Fe：LiNbq， 置，可毗确定在In：Fe：LiNb03晶体中豹In”浓度 ln(2moI％)：Fe：I，fNb03和In(3m01％)：Fe：LiNb03晶 FT-IR 是否达到闷值浓度。采用Nicolet．710 体，其中Ff7浓度都是0．∞wt％．将晶片埋在 s口e曲ometer红外光谱仪对晶体进行了红外透射 Nb∞5粉末中，升温到1100℃并恒温10小时， 谱测试，测试结果如图1所示． Nko；粉末在高温下发生以下反应： 当InH的掺入量为lmol％和2m01％时．OH。 Nb J些-Nb 吸收峰的位置在34s2cm～．掺入量达到3rn01％时，