γ辐照对InGaAs红外探测器性能影响地研究.pdfVIP

．y辐照对InGaAs红外探测器性能影响的研究 黄扬程 曹光明 刘大福 龚海梅 (上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海 200083) 摘要：本文研究了7射线辐照对InGaAs红外探测器性能的影响．7射线的辐照剂量分别为 1 噪声．通过对实验结果的分析-发现器件的响应光谱和信号没有发生明显变化：暗电流和噪声随T 辐照剂量增加而递增，表明探测器的挂能随1辐照剂量的增加而逐步衰减． 关键词：InGaAs；红外探测器；1射线辐照 1．引言 近年来。随着m—V族材料生长技术和器件工艺的进步，InGaAs光电探测器的研究取得了瞩目 的进展，从单元器件发展到线列与面阵器件“11，而且器件性能也得到了很大的提高，已成为光纤通 重要窗口，同时也是空间遥感的重要窗n之一。例如通过接受海洋表面和云层顶部1．5踮1．64／tin的 反射光，可以获得地球大气、表面土壤温度等信息，为气象预报和环境监测提供有用的资料01．因 此，在光纤通讯领域得到成功应用的InGaAs探测器在短波空间遥感领域具有很强的吸引力． 在复杂的太空环境中。空间辐射中的电子、质子、中子或T射线，都能对卫星内部的探测器造 成瞬时损伤和永久损伤。研究各类辐射对探测器的影响，不仅对航天器件的实际应用具有重要意义， 而且有助于进一步了解材料和器件的物理特性。对于InGaAs探测器辐照效应的研究进行得很少卜q， 国内还没有见到这方面的报道．而这一研究又是将InGaAs探测器推向空间应用所必不可少的．因此 本文研究了空间的重要辐射源1射线对InGaAs探测器的影响。 2．实验 zn扩散形结、表面钝化、电极制作、划片封装等工艺制成器件．器件光敏元面积蛋1000#m。 7辐照实验是在中国科学院上海应用物理研究所进行的，采用的1源是C060，其放射性活度为 行了响应光谱、暗电流、信号、噪声的测试。器件响应光谱在NICOLET红外光谱仪上进行；信号 及噪声测试采用的是常规的红外探测器黑体测试方法；暗电流由采用计算机控制的Keithley236可编 程}w测试仪完成． 3．实验结果与分析 3．1响应光谱 对不同剂量Y辐照前后的器件测量了其室温下的响应光谱。图1示出了器件经10Mradl辐照前 后的响应光谱，纵坐标为任意单位，图中曲线进行了归一化处理，从图1可以看出器件经辐照以后， 其响应光谱几乎没有发生变化，在1．3~1．4#m处的不光滑主要是空气中的水汽或C02吸收导致的， 具体数据可见表1，这说明|r辐照对器件的能带结构没有明显的影响。胡新文嗍在研究Y辐照对碲 镉汞红外探测器的影响时观察到经1Mrad 1辐照后器件截止波长向短波方向的轻微移动，即 生变化，造成禁带宽度增大，响应波长变短。InGaAs探测器经Y辐照前后响应光谱没有明显变化， 说明该材料体系相对碲镉汞来说更为稳定。 3．2暗电流 圈2为器件在不同辐照剂量下的暗电流特性，显然。随着辐照剂量的增加，器件的暗电流也逐 步增大。可从以下几方面解释：1射线与物质相互作用后会发生康普顿散射”J，打出康普顿电子．高 能电子继续与原子相互作用，会在材料中引入晶格损伤或形成各种缺陷。产生位移效应和电离效应。 辐照引入的缺陷会在半导体材料中形成深能级嗍，著随着辐照剂量的增大，深能级的缺陷密度和俘 获截面也随之增大，而深能级作为重要的产生一复合中心，会导致少数载流子的寿命的降低和产生 一复合电流的增大，使得器件的暗电流变大。同时辐照还会在器件表面的钝化层中引入界面态，增 大表面复合速度。使得表面漏电也逐渐变大。 图1 图2 InGaAs探测器经10Mradl辐照InGaAs探测器．r辐照前后的 前后的响应光谱 电流一电压特性 3．3器件性能 辐照前后对器件的基本性能参数：零偏阻抗、信号、噪声进行了测试，其中零偏阻抗由LⅣ曲 线进行微分计算得到．信号及噪声测试采用常规的红外探测器黑体测试方法．黑体温度900K，孔径 的放大倍数，而噪声测试采用104A／V，具体测试结果见表1． 从表l可以看出。器件的零偏阻抗随着T辐照剂量的增大而逐渐减小。而光伏器件的探测率是 与器件的零偏阻抗成比例的．所以器件在T辐照之后。探测率交小。性能下降。器件的