GaAs的ICP选择刻蚀探究.pdfVIP

第6卷第3期 功能材料与器件学报 V01．6No．3 2000年9月 OFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVIcES JOURNAL Sept一2000 文章编号：1007—4252(2000)03—0174—04 GaAs的ICP选择刻蚀研究 王惟林，刘训春，魏珂，郭晓旭，王润梅 (中科院徽电子中心，北京100010) 摘要：选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择 性差，且精度难蹦控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀 (RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可阻进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽 时会对器件造成较大损伤，影响器件性能。感应耦台等离子刻蚀(10P)是一种低损 持、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法，在GaAs器件的制造中有突出的优点。丰工作 理想的到蚀结果。 关键词：GaAs／A1GaAs；ICP；选择刘蚀 中图分类号：TN305文献标识码：A l 引言 干法刻蚀在微细加工中有越来越突出的优点。由于干法刻蚀方向性强，能对侧向腐蚀进 行控制。因此在微米、深亚微米、纳米级的图形加工方面，干法腐蚀有着不可替代的优越性。 对于GaAs工艺的特殊要求，湿法腐蚀存在钻蚀问题，在对源区通孔时，干法腐蚀成为最 有效方法；其次．对于异质结器件工艺来说，精确的选择刻蚀十分重要。特别是对于xo．25 以下的ALGa—As／GaAs来说，干法选择刻择是实现选择腐蚀n+GaAs层，控制器件及电路 特性的必备手段之一。 反应离子刻蚀(RrE)和磁增强反应离子刻蚀(MERIE)是目前广泛采用的选择刻蚀技术， 至可以超过4000：I【21。但是在一般工艺条件下，用RIE作挖槽有较深的损伤，而感应耦合等 体子体刻蚀(ICP)是一种高刻蚀速率、低损伤刻蚀工具。我们采用微电子中心新研制的ICP (大于800：1)，实现了GaAs光刻胶之间的高选择比(犬于300：1)”1。 2实验与方法 2．1 ICP原理 收稿日期：2000—07—24；修订日期：2000—08～30 作者简介：王惟林(1974一)，男，硕士 3期 王惟林等：GaAs的ICP选择刻蚀研究 175 AIG■AsA GnAs 光刻J蹬 1 ICPetcherstructure Fig 图1ICP刻蚀机结构(其中RFl的频率为 2 surface Fig Sample 1356MHz．RF2的频率400KHz) 图2样品结构 ICP采用双RF电源，一路用于激发电离，产生等离子体；另一路用于产生偏压使离子向 基片运动，从而达到各向异性刻蚀的目的。这种工作方式既可得到高密度等离子体，又可降 低刻蚀损伤。是ULSIMOS电路和微波器件及电路所必不可少的新一代加工手段。 2．2样品制备 GaAs样品为在(100)方向生长的体单晶，光刻出lmm宽的光刻胶掩膜线条，用于测量 超晶格层，裸露出GaAs层，再与上列线条垂直光刻出1mm的间隔线条，如图2所示，这样在 一个小样品上就可同时测量GaAs和AI”sGao，，As的刻蚀速率。 2．3刻蚀气体 增强刻蚀的均匀性，但同时也会对栅槽造成较大的损伤”1，在偏压为85V时．就可观察到这 一现象，研究表明，在引入了He、02、Ar气体后，CCl：F2的离化率变低，容易在腔内形成大面 体的聚合物淀积，严重影响了腐蚀的进行，因此，我们选用了纯ccl如气体。 刻蚀前用化学处理除去将样品表面的氧化层，“保证重复性。 3结果与讨