基于SOI材料的集成波导微镜和器件研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 基于SOI 材料的集成波导微镜与器件研究* 1,2 ** 1,2 2 1,2 1 2 1 杨建义 唐衍哲 王文辉 贾科淼 江晓清 李铁 吴亚明 1,2 王跃林 1) 浙江大学信息与电子工程学系，杭州210027 2) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，上海200050 摘要：利用硅刻蚀技术，包括干法刻蚀、湿法各向异性刻蚀、或是干湿相结合，可以制 作出实现光波导弯曲的具有低插入损耗的集成微镜。而将集成波导微镜应用于集成光子 器件，将可以获得具有紧凑结构的器件。文中探讨了集成微镜的制作，并将集成微镜应 用于多种集成光子器件的输入/输出接引端，还将集成微镜用于阵列波导光栅的制作。 关键词：集成光学，光波导，Silicon-on-Insulator，微镜，刻蚀，分路器，光波分复用器/ 解复用器 0 引言 利用平面集成光子技术进行多功能、规模化和高密度的光波导器件与模块的研究是目前的发展 方向之一。在多通道、大规模集成光子器件的研究中，由于与标准单模光纤的耦合需要，在器件的 输入/输出端，光波导间必须保持相当大的间距，如250um 或是 127um。由此，可以发现，为满足这 一大间距要求，同时又保持器件低插入损耗，采用常用的弧形弯曲波导结构，输入/输出端的接引波 导部分往往占有相当大的面积，导致器件的整体尺寸过大。对于基于 SOI 材料的集成光子器件，大 截面波导表现为更为明显的弱导引特性，弯曲曲率半径相当大，所以在输入/输出接引部分所要求的 尺寸表现得更大。为此，利用硅成熟的刻蚀工艺，我们提出了采用刻蚀微镜来取代弧形弯曲，实现 紧凑结构的波导弯曲[1]。本文将讨论采用不同刻蚀工艺研制集成波导微镜，并介绍利用集成波导微 镜所进行的器件研制工作。 17 基于SOI 集成波导微镜的制作[2,3] 1.1 干法刻蚀 制作集成波导微镜的常用方法是干法刻蚀。对SOI 材料而言，通过采用无切换的ICP 刻蚀技术， 可以刻蚀出光滑，垂直的镜面。刻蚀窗口的大小和形状十分灵活，刻蚀过程中的侧向腐蚀很小，且刻 蚀出的镜面为矩形，镜面的利用率高。干法刻蚀具有设计和工艺简单，掩模种类多，与集成电路工艺 兼容等优点。当工艺设备较好时是最理想的加工手段。 但ICP 刻蚀工艺在SOI 材料时还有些问题有待解决。由于BESOI 材料的顶层硅的厚度均匀性一 般为±0.5µm，ICP 刻蚀的刻蚀速率与刻蚀窗口的大小和位置有关，因此不可避免的会发生过刻蚀，因 此刻蚀侧壁的表面粗糙度会增加。应用均匀SOI 硅片和完善工艺参数将有助于提高镜面的表面质量。 干法刻蚀出的集成波导微镜的位置和表面形貌几乎完全由掩模中刻蚀窗口的边缘的位置和形状 决定。因此制作光刻版时必需保证集成波导微镜的边缘平滑，以减小损耗。由于集成波导微镜的方向 * 国家自然科学基金资助项目和国家重点基础研究发展规划资助项目(973)(G1999033104)。 ** Email: yangjy@zju.edu.cn, 电话与传真: 0571 208 第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 一般与制版时网格划分的坐标轴方向不同，因此制版时需要精细的网格划分才能保证掩模板上的集成 波导微镜边缘足够光滑。网格划分的大小（Grid Size）越小，集成波导微镜的边缘越光滑。网格划分 的越精细，需要的机时也越多，价格也越高。一般电子束制版的网格尺寸为0.1µm－1µm，因此干法刻 蚀的集成波导微镜的镜面质量受制版精度的限制，并且掩模版的价格较高。如果集成波导微镜与网格 划分的方向相同，则集成波导微镜的边缘应该是一条直线。但由于光刻工艺的原因，线条的边缘也有 周期性的起伏。起伏的幅度一般为30nm-50nm。周期性的结构不仅对镜子的偏振特性带来不利的影响， 同时，具有周期性结构的镜面还可以看做是一个衍射光栅，引起不同角度的反射 。由上面的讨论可知， 干法刻蚀对掩